[發明專利]一種低功耗的射頻增益模塊放大器芯片

有效

• 申請號: 202011081508.0
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112187195B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 吳奕蓬;杜琳;郭強
• 申請（專利權）人: 西安博瑞集信電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F3/189
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 孟潔

1.一種低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，包括共發射極放大結構、達林頓放大結構、以及動態反饋結構；

所述共發射極放大結構包括晶體管Q1、電阻R1、R2和R6、電感L1；所述晶體管Q1的集電極通過電阻R1與電源連接，所述晶體管Q1的發射極通過電阻R2和電感L1的串聯結構接地；所述晶體管Q1的基極通過電阻R6與達林頓放大結構中的晶體管Q2的發射極、晶體管Q3的基極連接，所述晶體管Q1的集電極與達林頓放大結構中的晶體管Q2的基極連接，所述晶體管Q1的發射極與動態反饋結構中的電阻R5一端連接；

所述達林頓放大結構包括晶體管Q2和Q3、電阻R3和R4、電感L2、電容C2；所述晶體管Q2的基極與所述晶體管Q1的集電極連接，所述晶體管Q2的集電極與晶體管Q3的集電極連接，所述晶體管Q2的發射極與晶體管Q3的基極、電阻R3一端連接，所述電阻R3另一端接地，所述電阻R4和電容C2并聯形成第一并聯結構，所述第一并聯結構的一端與晶體管Q3的發射極連接，另一端通過電感L2接地；

所述動態反饋結構包括電阻R5和R7、電容C1、二極管D1；所述電阻R7和電容C1并聯形成第二并聯結構，所述第二并聯結構用于減小所述動態反饋結構的靜態功耗，所述第二并聯結構的一端與晶體管Q2的集電極連接，另一端通過二極管與電阻R5的另一端連接；

所述共發射極放大結構與達林頓放大結構組成級聯電路。

2.如權利要求1所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，所述共發射極放大結構中包括共發射極負反饋結構，所述共發射極負反饋結構包括電感L1和電阻R2。

3.如權利要求1所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，所述達林頓放大結構中包括末級負反饋結構，所述末級負反饋結構包括電阻R4、電容C2以及電感L2。

4.如權利要求1所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，還包括片外元件，所述片外元件包括電容C3、C4和C5、電感L3；

所述電容C3設置在放大器芯片的輸入端；

所述電容C4設置在放大器芯片的輸出端；

所述電容C5與電源并聯且一端接地；

所述電感L3跨接于共發射極放大結構的供電端和達林頓放大結構的供電端之間，并與電源端連接。

5.如權利要求1所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，所述級聯電路為多級串行級聯，或，并行級聯。

6.如權利要求1所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，在所述動態反饋結構中，將多個動態反饋結構并聯形成新的動態反饋電路。

7.如權利要求1所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，在所述動態反饋結構中，多個二極管D1并聯。

8.如權利要求1或6或7所述的低功耗的射頻增益模塊放大器芯片，其特征在于，在所述動態反饋結構中，二極管D1改為晶體管的二極管連接方式，即將晶體管的基極與集電極連接。