[發明專利]基板處理裝置

在審

• 申請號: 202011080302.6
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112725734A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 張瓊鎬;盧熙成
• 申請（專利權）人: TES股份有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;玉昌峰

本發明涉及基板處理裝置，更詳細地涉及當在腔室內部對多個基板執行蒸鍍等工藝時能夠不受相鄰的基板的工藝影響的同時有效地執行工藝且具有便于腔室內部的維護等的構造的基板處理裝置。基板處理裝置具備：腔室，包括腔室主體以及對所述腔室主體的開口的上方進行密閉的腔室蓋；多個凹部，彼此隔開預定距離形成于所述腔室蓋；多個噴頭，設置于所述腔室蓋的凹部而朝向基板供應工藝氣體；隔熱部，延伸設置成圍繞所述凹部的內側壁；以及基板支承部，支承所述基板，并設置成能夠上下移動以插入到所述凹部而在與所述噴頭、所述隔熱部之間形成處理空間。

技術領域

本發明涉及基板處理裝置，更詳細地涉及當在腔室內部對多個基板執行蒸鍍等工藝時能夠不受相鄰的基板的工藝影響的同時有效地執行工藝且具有便于腔室內部的維護等的構造的基板處理裝置。

背景技術

通常，基板處理裝置在腔室的內部具備支承基板的基板支承部和朝向基板供應工藝氣體的噴頭而對基板執行各種工藝。

在此情況下，以往技術的基板處理裝置的話，噴頭從腔室蓋凸出配置，當基板在腔室內部移動時，基板與噴頭之間可能發生干涉。

另外，以往技術的基板處理裝置的話，當在腔室的內部對多個基板執行處理工藝時，由于受到從相鄰的噴頭供應的工藝氣體的影響，存在不能順暢地進行工藝的問題。

而且，以往技術的基板處理裝置的話，當噴頭等需要維護作業等時，分離腔室蓋整體，分離作業需要大量的時間以及人工，在分離作業中可能發生O型圈等之類其它構成要件的破損。

發明內容

為了解決如上那樣的問題，本發明的目的在于提供防止基板和噴頭的干涉且在對多個基板進行的工藝中也不受相鄰的基板的工藝影響的基板處理裝置。

另外，本發明的目的在于提供當需要對噴頭等腔室內部的構成要件進行作業時能夠容易地分離腔室蓋且能夠根據需要維護的構成要件僅敞開腔室蓋的一部分來進行作業的基板處理裝置。

如上所述那樣的本發明的目的通過基板處理裝置來實現，該基板處理裝置具備：腔室，包括腔室主體以及對所述腔室主體的開口的上方進行密閉的腔室蓋；多個凹部，彼此隔開預定距離形成于所述腔室蓋；多個噴頭，設置于所述腔室蓋的凹部而朝向基板供應工藝氣體；隔熱部，延伸設置成圍繞所述凹部的內側壁；以及基板支承部，支承所述基板，并設置成能夠上下移動以插入到所述凹部而在與所述噴頭、所述隔熱部之間形成處理空間。

在此，可以是當所述基板支承部上升而插入到所述凹部時，在所述基板支承部的側面與所述隔熱部之間形成隔開空間。

此時，可以是，所述隔熱部能夠裝拆地設置于所述凹部的內側壁。

另外，可以是，在所述腔室蓋設置有沿所述凹部的邊緣配置而朝向下方供應惰氣的惰氣供應部。

例如，可以是，所述惰氣供應部包括：氣體塊，配置于所述腔室蓋的上方而提供使惰氣移動的流道；以及多個惰氣供應環，沿所述腔室蓋的凹部的邊緣配置，并被供應所述氣體塊的惰氣。

在此情況下，可以是，在所述氣體塊內以所述多個惰氣供應環連接的各流道對稱地形成并具有相同的長度。

另一方面，可以是，所述惰氣供應環形成有供所述惰氣循環的第一循環空間、與所述第一循環空間通過輔助流道連通的第二循環空間以及與所述第二循環空間連通而朝向下方供應所述惰氣的噴射部。

而且，可以是，所述腔室蓋包括：第一腔室蓋，設置成相對于所述腔室主體能夠上下移動；第二腔室蓋，能夠上下移動地設置于所述第一腔室蓋的下方；以及升降桿，貫通所述腔室主體來配置，并連接于所述第一腔室蓋和所述第二腔室蓋而使所述第一腔室蓋和所述第二腔室蓋上下移動，在所述第二腔室蓋形成有開口部，在所述開口部配置有所述噴頭。

根據具有前述結構的本發明，將噴頭配置于腔室蓋的凹部而能夠防止基板和噴頭的干涉，而且在對多個基板進行工藝的過程中也不受相鄰的基板的工藝影響。