[發明專利]降低繞鍍的原子層沉積制備方法及太陽能電池

有效

• 申請號: 202011079857.9
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112251733B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 于琨;劉長明;張昕宇;金浩;高貝貝
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 錢嫻靜

1.一種降低繞鍍的原子層沉積制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將基片置于原子層沉積反應器的反應腔內，加熱所述反應腔內的所述基片；

(2)將載氣與反應源氣體混合后通入所述反應腔內，所述反應源氣體吸附于基片表面；

(3)在預設的電離激發作用下，所述反應腔內生成等離子體，所述等離子體與吸附于基片表面的反應源氣體反應，使得所述基片表面沉積單層或多層原子層；

(4)往所述反應腔內脈沖通入惰性氣體，利用所述惰性氣體沖洗所述基片表面的反應副產物及雜質后，將所述反應腔抽至30Pa～140Pa；以及

重復循環(2)～(4)多次，得到預設厚度的膜層，控制所述反應腔內的壓力隨著循環次數的增加逐步增加，使得所述基片正面的第一壓力大于所述基片背面的第二壓力。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，隨重復循環的次數，反應腔內的壓力采用變壓方式逐步增加，每次壓力調整的幅度≤20Pa。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述反應腔內的壓力的單次調整的幅度為10Pa。

4.根據權利要求1～3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述反應腔內的壓力可以采用線性方式或者離散方式進行逐步增加。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述反應源氣體包括三甲基鋁、硅烷、二氧化鉿、四氯化鉿、四(甲乙胺基)鉿、含烯基二氯化鋯、氧化鋯、氧氣、笑氣、氨氣、臭氧中的至少一種。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述載氣為惰性氣體，其中，所述反應源氣體的體積占比為60％～90％，所述惰性氣體的體積占比為10％～40％。

7.根據權利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氬氣、氮氣、氦氣、氖氣中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預設的電離激發作用由等離子脈沖源產生，等離子脈沖源的頻率在40KHz～500KHz，等離子脈沖源的脈沖時長為10ms～300ms。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述反應腔內的溫度為150℃～350℃。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括由上至下依次排布的正面電極、正面鈍化層、第一電介質層、N型或P型發射極、硅基片、第二電介質層、N型或P型摻雜層、背面鈍化層、背面電極；所述正面鈍化層、所述第一電介質層、所述第二電介質層、所述背面鈍化層中的至少一個根據權利要求1～9任一項所述的降低繞鍍的原子層沉積制備方法制得。