[發明專利]燈板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202011079702.5 | 申請日: | 2020-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN112242413B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發明(設計)人: | 劉凡成;查國偉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/62;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本申請提供一種燈板及顯示裝置,燈板包括:基板;于基板上形成的驅動電路層,驅動電路層包括第一圖案化金屬層,第一圖案化金屬層包括多個第一金屬構件;于驅動電路層遠離基板一側設置的第二圖案化金屬層,第二圖案化金屬層包括多個第二金屬構件以及多個鏤空部,每個鏤空部設置于相鄰兩個第二金屬構件之間,多個第二金屬構件包括多個導電墊;多個發光器件,每個發光器件綁定于相鄰兩個導電墊上;多個第一金屬構件的至少部分在基板上的正投影與靠近綁定每個發光器件的相鄰兩個導電墊的鏤空部在基板上的正投影重合。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種燈板及顯示裝置。
背景技術
亞毫米發光二極管(MiniLED)背光模組(Back Light Unit,BLU)因其高亮、超窄邊框、異形以及能夠實現區域調光(Local Dimming)設計等優勢受到更多的關注。
然而,目前的亞毫米發光二極管的周圍存在反射暗區導致亞毫米發光二極管背光模組的發光效果較差。
發明內容
本申請的目的在于提供一種燈板以及顯示裝置,以改善燈板上發光器件周圍存在的暗紋問題,提高燈板的發光效果,且提高顯示裝置的顯示效果。
為實現上述目的,本申請提供一種燈板,所述燈板包括:
基板;
于所述基板上形成的驅動電路層,所述驅動電路層包括第一圖案化金屬層,所述第一圖案化金屬層包括多個第一金屬構件;
于所述驅動電路層遠離所述基板一側設置的第二圖案化金屬層,所述第二圖案化金屬層包括多個第二金屬構件以及多個鏤空部,每個所述鏤空部設置于相鄰兩個所述第二金屬構件之間,多個所述第二金屬構件包括多個導電墊;
多個發光器件,每個所述發光器件綁定于相鄰兩個所述導電墊上;
多個所述第一金屬構件的至少部分在所述基板上的正投影與靠近綁定每個所述發光器件的相鄰兩個所述導電墊的所述鏤空部在所述基板上的正投影重合。
在上述燈板中,多個所述第一金屬構件中的至少部分在所述基板上的正投影與多個所述鏤空部在所述基板上的正投影完全重合。
在上述燈板中,所述第一圖案化金屬層的反射率與所述第二圖案化金屬層的反射率相異。
在上述燈板中,所述第二圖案化金屬層的反射率大于所述第一圖案化金屬層的反射率。
在上述燈板中,所述第二圖案化金屬層遠離所述基板的金屬層的制備材料選自鋁、銀中的一種,所述第一圖案化金屬層遠離所述基板的金屬層的制備材料為鈦。
在上述燈板中,所述第一圖案化金屬層的反射率與所述第二圖案化金屬層的反射率之間的差值絕對值大于或等于10%。
在上述燈板中,多個所述鏤空部的面積與多個所述鏤空部的面積和多個所述第二金屬構件的面積之和的比值百分數大于0%且小于1%。
在上述燈板中,多個所述第二金屬構件還包括多個走線,
相鄰兩個所述走線之間的所述鏤空部的寬度為1微米-10微米,綁定同一所述發光器件的相鄰兩個所述導電墊之間的所述鏤空部的寬度為1微米-200微米,每個所述導電墊和與所述導電墊相鄰的所述走線之間的所述鏤空部的寬度為1微米-50微米。
在上述燈板中,多個所述第一金屬構件包括源電極以及漏電極,綁定同一所述發光器件的相鄰兩個所述導電墊中的一者與一個所述走線電性連接,綁定同一所述發光器件的相鄰兩個所述導電墊中的另一者與所述漏電極電性連接。
在上述燈板中,所述燈板還包括透明保護層,所述透明保護層覆蓋所述第二圖案化金屬層且使所述導電墊暴露。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





