[發明專利]一種基于相變材料的空間光調制系統

在審

• 申請號: 202011079247.9
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112415785A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 高鼎;程志淵
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02F1/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 應孔月

1.一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，包括：

輸入系統，用于將輸入光輸入到相變材料調制單元陣列；

相變材料調制單元陣列，由相變調制單元在平面排列形成，用于對所述輸入光的相位和振幅特性進行二維空間分布調制；

光尋址器與電尋址電路，與所述相變材料調制單元陣列相連，用于在外部信號的控制下對相變材料調制單元陣列內的每一個相變調制單元獨立尋址并控制；

輸出系統，每一個所述相變調制單元可被獨立控制，所述相變調制單元通過電流脈沖和激光脈沖兩種刺激方法加以控制。

2.根據權利要求1所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述的相變調制單元依次由抗反射層、上透明電極、相變材料層、下金屬電極、基板組成，其中所述抗反射層在整個相變調制單元的表面，通過上透明電極與下金屬電極給相變材料層施加電脈沖刺激，下金屬電極還用于將入射光反射出去，所述基板作為整個相變調制單元的支撐。

3.根據權利要求2所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述相變材料層的材料是鍺銻碲合金、硫化銻、二氧化釩中的一種。

4.根據權利要求3所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述相變材料層厚度在5nm-5um之間。

5.根據權利要求1所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述的相變調制單元依次由抗反射層、光子晶體層、加熱電極構成，其中所述抗反射層在整個相變調制單元表面，所述光子晶體層由相變材料層和電介質層周期性排列組成。

6.根據權利要求5所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述的光子晶體層的總層數是4-20層，其中相變材料層和電介質層厚度為被調控光在該介質當中波長的1/4，所述電介質層是透明材料。

7.根據權利要求6所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述透明材料是氧化銦錫(ITO)、二氧化硅(SiO₂)、氮化鈦(TiN)中的一種，所述相變材料層的材料是鍺銻碲合金、硫化銻、二氧化釩中的一種。

8.根據權利要求1所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述的相變調制單元依次由入射光抗反射層、上透明電極、相變材料層、下透明電極、出射光抗反射層組成，所述的上透明電極和下透明電極對被調控光透明。

9.根據權利要求1所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述的相變調制單元依次由抗反射層、相變材料層、光阻擋層、透明襯底構成，所述的光阻擋層對寫入光不透明，對入射光透明。

10.根據權利要求1所述的一種基于相變材料的空間光調制系統，其特征在于，所述的相變調制單元依次由抗反射層、保護層、相變材料納米陣列層、加熱電極、基板組成，所述的相變材料納米陣列層是相變材料納米單元規則排布形成的納米陣列，相變材料納米陣列內部單元尺寸介于10納米到500納米。