[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011078511.7 | 申請日: | 2020-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN112786648A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金俊洙;金永植;李廷圭;具炳賢 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;杜誠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基礎(chǔ)層,所述基礎(chǔ)層包括被劃分成顯示圖像的有源區(qū)域和與所述有源區(qū)域相鄰的非有源區(qū)域;
開口,所述開口位于所述有源區(qū)域的一部分中,并且穿透所述基礎(chǔ)層和所述基礎(chǔ)層上的功能層;以及
切斷結(jié)構(gòu),所述切斷結(jié)構(gòu)位于所述開口的附近,并且被設(shè)置成切斷在所述有源區(qū)域的所述開口與發(fā)光單元之間的有機(jī)發(fā)光層的連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述切斷結(jié)構(gòu)具有抑制覆蓋所述切斷結(jié)構(gòu)的無機(jī)層被層壓同時(shí)形成谷狀形狀的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述切斷結(jié)構(gòu)的側(cè)面傾斜角為65度或更小。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述切斷結(jié)構(gòu)具有至少兩個(gè)側(cè)面傾斜角,并且所述切斷結(jié)構(gòu)的下部的傾斜角小于所述切斷結(jié)構(gòu)的上部的傾斜角。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,還包括:
封裝層,所述封裝層覆蓋所述有源區(qū)域,
其中,覆蓋所述切斷結(jié)構(gòu)的無機(jī)層是包含在所述封裝層中的無機(jī)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述切斷結(jié)構(gòu)位于所述有源區(qū)域的所述開口與所述發(fā)光單元之間以包圍所述開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在所述切斷結(jié)構(gòu)下方的無機(jī)絕緣層從所述切斷結(jié)構(gòu)的外周向內(nèi)地蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述切斷結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)突出結(jié)構(gòu),并且所述至少兩個(gè)突出結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)由與平坦化層相同的材料形成,所述平坦化層覆蓋包括在所述有源區(qū)域的像素電路中的薄膜晶體管TFT的源電極或漏電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括:
封裝層,所述封裝層包括順序地層壓并覆蓋所述有源區(qū)域的第一無機(jī)層、有機(jī)層和第二無機(jī)層;以及
阻擋結(jié)構(gòu),所述阻擋結(jié)構(gòu)被設(shè)置成阻擋所述有機(jī)層的流動,以及
其中,所述切斷結(jié)構(gòu)位于所述阻擋結(jié)構(gòu)的一側(cè)或兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中,設(shè)置有兩個(gè)阻擋結(jié)構(gòu),并且所述切斷結(jié)構(gòu)位于所述兩個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括:
緩沖層,所述緩沖層與所述切斷結(jié)構(gòu)的側(cè)面相鄰。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,其中,所述切斷結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)突出結(jié)構(gòu),并且所述緩沖層位于所述至少兩個(gè)突出結(jié)構(gòu)之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,還包括:
封裝層,所述封裝層覆蓋所述有源層,
其中,所述緩沖層與所述封裝層的一部分的材料相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中,所述封裝層包括順序地層壓的第一無機(jī)層、有機(jī)層和第二無機(jī)層,并且所述緩沖層設(shè)置在所述第一無機(jī)層與所述第二無機(jī)層之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,其中,所述緩沖層填充所述切斷結(jié)構(gòu)的側(cè)面上的谷。
16.一種顯示裝置,包括:
第一區(qū)域,基礎(chǔ)層和所述基礎(chǔ)層上的功能層從所述第一區(qū)域穿通;
第二區(qū)域,所述第二區(qū)域包圍所述第一區(qū)域;以及
第三區(qū)域,所述第三區(qū)域包圍所述第二區(qū)域并且設(shè)置有像素,
其中,在所述第二區(qū)域中,設(shè)置有被設(shè)置成切斷有機(jī)發(fā)光層的連接的切斷結(jié)構(gòu)和與所述切斷結(jié)構(gòu)相鄰的裂紋預(yù)防結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





