[發明專利]基片處理裝置

在審

• 申請號: 202011078255.1
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112684663A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 稻葉翔吾
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

收納基片的處理室；

能夠保持所述處理室內的所述基片并使之旋轉的旋轉保持部；

對所述旋轉保持部所保持的所述基片的表面供給處理液的處理液供給部；

排氣部，其從設置于比所述旋轉保持部所保持的所述基片的外周靠外側的位置的排氣口，將所述處理室內的氣體排出；

板，其以在所述旋轉保持部所保持的所述基片的周向上的一部分于所述表面相對，且在該基片的周向上的其他部分不與所述表面相對的方式配置在所述處理室內；和

板配置部，其能夠切換第一狀態和第二狀態，其中，所述第一狀態是所述板在所述一部分與所述表面相對的狀態，所述第二狀態是所述板位于比所述第一狀態離開所述表面的位置的狀態。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述板在所述第一狀態下在所述基片的周向上的40％～60％的部分與所述表面相對。

3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述板配置部能夠使所述板至少在與所述表面垂直的方向上移位。

4.如權利要求3所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述板配置部還能夠使所述板在沿所述表面的方向上移位，使得在所述第二狀態下所述板與所述表面相對的面積比在所述第一狀態下所述板與所述表面相對的面積小。

5.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述板配置部能夠使所述板相對于所述表面傾斜，使得在所述第二狀態下所述板比所述第一狀態離開所述表面。

6.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述排氣口至少設置于所述板在所述第一狀態下與所述表面相對的部分所對應的位置。

7.如權利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述排氣口還設置于所述板在所述第一狀態下不與所述表面相對的部分所對應的位置。

8.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

液供給控制部，其使所述處理液供給部對所述表面供給所述處理液，以使得在所述表面形成所述處理液的液膜；和

板配置控制部，其至少基于所述處理液的種類，使所述板配置部將所述表面形成有所述液膜的所述基片旋轉的期間的至少一部分期間中的所述板的配置切換為所述第一狀態或者所述第二狀態。

9.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

收納基片的處理室；

能夠保持所述處理室內的所述基片并使之旋轉的旋轉保持部；

對所述旋轉保持部所保持的所述基片的表面供給處理液的處理液供給部；

排氣部，其從設置于比所述旋轉保持部所保持的所述基片的外周靠外側的位置的排氣口，將所述處理室內的氣體排出；

板，其以與所述旋轉保持部所保持的所述基片的周向上的一部分的所述表面相對，且不與該基片的周向上的其他部分的所述表面相對的方式配置在所述處理室內；和

板配置部，其能夠切換第一狀態和第二狀態，其中，所述第一狀態是所述板在所述一部分與所述表面相對的狀態，所述第二狀態是所述板以比所述第一狀態小的面積與所述表面相對的狀態。

10.如權利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述板配置部通過使所述板相對于所述表面傾斜，來改變所述板與所述表面相對的面積。