[發明專利]偏光基板及其制造方法

有效

• 申請號: 202011077774.6
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112162345B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 林圣凱;鐘佳欣;羅再升;黃勝銘;王銘瑞;陳志強;張暉谷;王呈展;林嘉柏;呂仁貴
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G02F1/1335
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種偏光基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成一反射層于一基板上，其中該反射層具有一穿透區以及一反射區；

形成一金屬材料層重疊于該反射區以及該穿透區；以及

圖案化該金屬材料層以形成一金屬圖案層，其中該金屬圖案層包括：

一偏光結構，包含重疊于該穿透區的多個柵線，其中各該柵線的厚度為200納米至500納米，各該柵線的寬度為30納米至70納米，且兩相鄰的該些柵線之間的間距為30納米至70納米；以及

一微結構，重疊于該反射區，且該微結構的厚度為20納米至500納米；

其中，更包括：

形成一第一平坦材料層于該基板上；

形成一遮罩圖案于該第一平坦材料層上；

以該遮罩圖案為罩幕圖案化該第一平坦材料層，以形成一第一平坦層；

形成一反射材料層以覆蓋該遮罩圖案以及該基板；以及

移除該遮罩圖案以及位于該遮罩圖案上的部分該反射材料層，以形成該反射層；

或更包括：

形成一第一平坦材料層于該基板上；

以半色調光罩制程形成一第一遮罩圖案于該第一平坦材料層上；

以該第一遮罩圖案為罩幕圖案化該第一平坦材料層，以形成一第一平坦層；形成一第二遮罩圖案于該第一平坦層上；

形成一反射材料層以覆蓋該第二遮罩圖案以及該第一平坦層；以及

移除該第二遮罩圖案以及位于該第二遮罩圖案上的部分該反射材料層，以形成該反射層。

2.如權利要求1所述的偏光基板的制造方法，其特征在于，該遮罩圖案的材料包括光阻，且移除該遮罩圖案以及位于該遮罩圖案上的部分該反射材料層的方法包括舉離。

3.如權利要求1所述的偏光基板的制造方法，其特征在于，移除該遮罩圖案以及位于該遮罩圖案上的部分該反射材料層，以形成該反射層后更包括：

形成一第二平坦層以覆蓋該反射層以及該第一平坦層，且該第二平坦層重疊于該反射區以及該穿透區；以及

形成該金屬材料層于該第二平坦層上。

4.如權利要求1所述的偏光基板的制造方法，其特征在于，圖案化該金屬材料層的方法包括：

形成一光阻材料于該金屬材料層上；

利用壓印制程圖案化該光阻材料，以形成多個條狀光阻，其中部分該些條狀光阻重疊于該反射區，且另一部分該些條狀光阻重疊于該穿透區；以及

以該些條狀光阻為罩幕蝕刻該金屬材料層，以形成該金屬圖案層。

5.如權利要求4所述的偏光基板的制造方法，其特征在于，重疊于該反射區的部分該些條狀光阻的高度不同于重疊于該穿透區的另一部分該些條狀光阻的高度。

6.一種偏光基板，其特征在于，由權利要求1至5任一項所述的偏光基板的制造方法制造而成。

7.如權利要求6所述的偏光基板，其特征在于，該微結構包括多個條狀結構。

8.如權利要求7所述的偏光基板，其特征在于，各該條狀結構的寬度隨著越靠近該基板越寬，且各該柵線的寬度隨著越靠近該基板越寬。

9.如權利要求7所述的偏光基板，其特征在于，該金屬圖案層更包括：

一延伸層，位于該反射層上，其中該些條狀結構直接連接于該延伸層上。

10.如權利要求6所述的偏光基板，其特征在于，該微結構直接連接于該反射層上。

11.如權利要求6所述的偏光基板，其特征在于，該偏光結構重疊于該第一平坦層。

12.如權利要求11所述的偏光基板，其特征在于，該第一平坦層的厚度為40納米至140納米，且該反射層的厚度為40納米至100納米。

13.一種偏光基板，其特征在于，由權利要求3所述的偏光基板的制造方法制造而成，該偏光結構以及該微結構直接連接于該第二平坦層上。