[發(fā)明專(zhuān)利]一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011076751.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112209720B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖寄喬;李軍;鄧華峰;龔智;李丙菊;石磊;劉學(xué)文;王躍軍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 湖南金博碳素股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B35/565 | 分類(lèi)號(hào): | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)沙市融智專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 鐘丹 |
| 地址: | 413000*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 碳化硅 雙連 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:將碳化硅粉與造孔劑、成型劑混合獲得混合料,混合料經(jīng)壓制成型獲得碳化硅生坯,碳化硅生坯經(jīng)干燥、燒結(jié)獲得孔隙率為25%~35%碳化硅坯體,將碳化硅坯體經(jīng)化學(xué)氣相沉積熱解碳,即獲得孔隙率≤5%的碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料;
所述碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料由重結(jié)晶碳化硅以及熱解碳組成,其中重結(jié)晶碳化硅在碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為80~83%;熱解碳在碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為17~20%,所述碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的孔隙率≤5%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述碳化硅粉由粒徑為0.1~10μm的碳化硅粉A,粒徑為10~50μm的碳化硅粉B,粒徑為50~100μm的碳化硅粉C組成,按質(zhì)量比計(jì),碳化硅粉A:碳化硅粉B:碳化硅粉C=20~30:10~20:50~70。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述碳化硅粉由粒徑為0.5~0.8μm的碳化硅粉A,粒徑為10~20μm的碳化硅粉B,粒徑為45~55μm的碳化硅粉C組成,按質(zhì)量比計(jì),碳化硅粉A:碳化硅粉B:碳化硅粉C=20~30:15~20:55~65。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述造孔劑為碳酸鈉和聚乙二醇,其中碳酸鈉的加入量為碳化硅粉質(zhì)量的2wt%~4wt%,聚乙二醇的加入量為碳化硅粉的質(zhì)量的0.5wt% ~5wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述成型 劑為纖維素鈉,所述纖維素鈉的加入量為碳化硅粉質(zhì)量的0.5 wt %~5 wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:所述干燥的方式為微波干燥,所述微波干燥的溫度為80℃~100℃,時(shí)間為8~16h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述燒結(jié)工藝為:抽真空,控制爐壓<10 Pa,然后以3℃/min~5℃/min的升溫速率升溫至2350℃~2450℃,同時(shí)充入氬氣至爐壓為800Pa~1000Pa,保溫4~5h,隨爐冷卻至800℃后,停止抽真空,繼續(xù)隨爐冷卻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述碳化硅坯體的密度為2.1 g/cm3~2.4 g/cm3。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳/碳化硅雙連續(xù)相復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
所述化學(xué)氣相沉積的工藝為:以C3H6或天然氣為碳源氣、N2為稀釋氣,控制碳源氣與N2體積比為1:1~5,控制沉積時(shí),碳化硅坯體表面溫度為900~1200℃、爐壓為1~10 kPa,沉積時(shí)間為60~120h,沉積完成后隨爐冷卻。
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