[發明專利]一種平面TEM樣品的制備方法及平面TEM樣品

有效

• 申請號: 202011075854.8
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112067405B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 尹志軍;崔國新;李若木;許志城
• 申請（專利權）人: 南京南智先進光電集成技術研究院有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28;G01Q30/20
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，包括：

將待測樣品置于樣品臺上；

控制所述樣品臺傾斜至52度；

在所述待測樣品的表面沉積金屬保護層，構建目標制樣區域；

使用離子束在所述目標制樣區域的周圍刻蝕固定形狀的通道，得到目標矩形樣品，所述目標矩形樣品與所述待測樣品其余部分之間存在連接橋；

控制所述樣品臺傾斜至-10度；

使用離子束對所述目標矩形樣品的兩個長邊進行刻蝕，得到目標鍥形體，包括：

針對所述目標矩形樣品的其中一個長邊，使用離子束進行刻蝕，在所述目標矩形樣品上形成第一鍥形表面；

控制所述樣品臺旋轉180度；

針對所述目標矩形樣品的另一個長邊，使用所述離子束進行刻蝕，在所述目標矩形樣品上形成第二鍥形表面，其中，在形成第二鍥形表面的過程中，所述第二鍥形表面與所述第一鍥形表面交匯使得最終得到的所述目標鍥形體的底部被切斷；

控制所述樣品臺傾斜至零度；

控制納米機械手提取出所述目標鍥形體；

控制所述納米機械手旋轉90度，使所述目標鍥形體旋轉90度；

將旋轉后的目標鍥形體焊接至標準銅網上；

將焊接在所述標準銅網上的目標鍥形體減薄到目標厚度，得到平面TEM樣品。

2.根據權利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述在所述待測樣品的表面沉積金屬保護層，構建目標制樣區域，包括：

在所述待測樣品上選定感興趣區域；

使用離子束在所述感興趣區域的周圍沉積四個金屬保護層，構建所述目標制樣區域。

3.根據權利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述固定形狀的通道為C形通道，所述C形通道的開口處為所述連接橋所在的位置。

4.根據權利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述控制納米機械手提取出所述目標鍥形體，包括：

控制所述納米機械手靠近所述目標鍥形體的目標端面，所述目標端面位于所述連接橋所處端面的另一端；

通過沉積金屬層將所述目標鍥形體焊接至所述納米機械手上；

使用離子束切斷所述連接橋；

控制納米機械手按照原位提取出所述目標鍥形體。

5.根據權利要求1所述的平面TEM樣品的制備方法，其特征在于，在所述控制所述樣品臺傾斜至零度之前，所述平面TEM樣品的制備方法還包括：

使用掃描電子顯微鏡進行觀察，判斷所述目標鍥形體的底部是否被切斷，若是，則控制所述樣品臺傾斜至零度。

6.一種平面TEM樣品，其特征在于，所述平面TEM樣品采用如權利要求1-5任一項所述的平面TEM樣品的制備方法制備而得。