[發(fā)明專利]顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011075497.5
• 申請日: 2016-12-01
• 公開（公告）號: CN112038358A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李冠鋒;劉敏鉆;許乃方
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 方丁一

1.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第一絕緣層，設(shè)于該第一基板上；

一第一薄膜晶體管單元，設(shè)于該第一基板上，且該第一薄膜晶體管單元包括：

一第一半導體層，設(shè)于該第一基板與該第一絕緣層之間；

一第二薄膜晶體管單元，設(shè)于該第一基板上，且該第二薄膜晶體管單元包括：

一第二半導體層，設(shè)于該第一絕緣層與該第一半導體層之上；以及

一第三薄膜晶體管單元，設(shè)于該第一基板上，且該第三薄膜晶體管單元包括：

一第三半導體層，設(shè)于該第一基板與該第一絕緣層之間；

其中，該第二半導體層與該第三半導體層通過一金屬層電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括一屏蔽層，設(shè)于該第一半導體層與該第一基板間，且該屏蔽層與該第二半導體層重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中該第一半導體層與該第三半導體層設(shè)置于同一層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中該第一薄膜晶體管單元包括一第一柵極；以及該第三薄膜晶體管單元包括一第三柵極，且該第一柵極與該第三柵極設(shè)于該第一絕緣層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，還包括一第二絕緣層，設(shè)于該第一柵極與該第三柵極上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中該第三半導體層包含硅，該第二半導體層包含金屬氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備，其中該第一半導體層包含硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中該第一半導體層包含硅，該第二半導體層包含金屬氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中該第一半導體層包含硅，該第三半導體層包含硅。