[發明專利]一種用于在硅片上沉積背封膜的方法和系統在審
| 申請號: | 202011074586.8 | 申請日: | 2020-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN112151424A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 徐鵬 | 申請(專利權)人: | 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司: | 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌棟;姚勇政 |
| 地址: | 710065 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 硅片 沉積 背封膜 方法 系統 | ||
1.一種用于在硅片上沉積背封膜的方法,其特征在于,包括:
針對承載于第一托盤的硅片進行沉積作業;
清洗所述第一托盤以清除所述沉積作業期間沉積在所述第一托盤上的沉積膜,并在清洗所述第一托盤的過程中針對承載于第二托盤的硅片進行沉積作業。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:所述第一托盤被清洗完成后,將所述第一托盤作為待沉積作業的托盤。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述清洗所述第一托盤以清除所述沉積作業期間沉積在所述第一托盤上的沉積膜,包括:
用刻蝕液對所述第一托盤進行噴淋;
用超凈水對所述第一托盤進行噴淋;
對所述第一托盤進行干燥處理。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:運送所述第一托盤依次接受所述刻蝕液的噴淋、所述超凈水的噴淋以及所述干燥處理。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:真空抽吸在用刻蝕液對所述第一托盤進行噴淋以及用超凈水對所述第一托盤進行噴淋時產生的飄浮物和反應氣。
6.一種用于在硅片上沉積背封膜的系統,其特征在于,包括:沉積模塊、清洗模塊和運送模塊,
所述沉積模塊配置成針對承載于第一托盤的硅片進行沉積作業,
所述清洗模塊配置成清洗所述第一托盤以清除所述沉積作業期間沉積在所述第一托盤上的沉積膜,并且所述沉積模塊還配置成在清洗所述第一托盤的過程中針對承載于第二托盤的硅片進行沉積作業,
所述運送模塊配置成所述第一托盤的沉積作業完成后將所述第一托盤從所述沉積模塊運送至所述清洗模塊。
7.根據權利要求6所述的系統,其特征在于,所述運送模塊還配置成所述第一托盤被清洗完成后,將所述第一托盤從所述清洗模塊運送至所述沉積模塊。
8.根據權利要求6所述的系統,其特征在于,所述清洗模塊包括:
刻蝕裝置,配置成用刻蝕液對所述第一托盤進行噴淋;
漂凈裝置,配置成用超凈水對所述第一托盤進行噴淋;
干燥裝置,配置成對所述第一托盤進行干燥處理。
9.根據權利要求8所述的系統,其特征在于,所述清洗模塊還包括清洗運送裝置,所述清洗運送裝置配置成運送所述第一托盤依次接受所述刻蝕裝置、所述漂凈裝置和所述干燥裝置的處理。
10.根據權利要求8所述的系統,其特征在于,所述清洗模塊還包括真空抽吸裝置,所述真空抽吸裝置配置成真空抽吸所述刻蝕裝置和所述漂凈裝置在作業過程中產生的飄浮物和反應氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





