[發明專利]一種疊層電池及其制作方法在審
| 申請號: | 202011073513.7 | 申請日: | 2020-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN112259686A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 徐琛 | 申請(專利權)人: | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/0725;H01L51/48 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電池 及其 制作方法 | ||
1.一種疊層電池,其特征在于,包括:
底電池;
形成在所述底電池上的空穴傳輸層,所述空穴傳輸層的材料包括p型銅鐵礦結構的半導體材料,在背離所述底電池的方向上,所述空穴傳輸層的價帶頂能級逐漸降低;
形成在所述空穴傳輸層上的鈣鈦礦吸收層;
以及形成在所述鈣鈦礦吸收層上方的透明導電層。
2.根據權利要求1所述的疊層電池,其特征在于,所述p型銅鐵礦結構的半導體材料的化學通式為ABCx,其中,A包括Cu+、Ag+、Pd+、Sr+、Pt+中的一種或多種,B包括B3+、Al3+、Ga3+、In3+、Cr3+、Fe3+、Sc3+及三價稀土陽離子中的一種或多種,C為氧族元素,包括O、S、Se、Te中的一種或多種,x在1.95~2.6之間。
3.根據權利要求1所述的疊層電池,其特征在于,所述空穴傳輸層在厚度方向上具有變化的元素分布或化學配比,使得在背離所述底電池的方向上,所述空穴傳輸層的價帶頂能級逐漸降低。
4.根據權利要求1所述的疊層電池,其特征在于,所述空穴傳輸層的厚度為5nm~100nm;和/或,
所述空穴傳輸層的價帶頂能級的變化范圍為-4.5eV~-5.4eV。
5.根據權利要求1-4任一項所述的疊層電池,其特征在于,所述底電池的頂層為n型重摻雜層,所述n型重摻雜層與所述空穴傳輸層接觸而形成載流子復合界面。
6.根據權利要求5所述的疊層電池,其特征在于,所述疊層電池還包括位于所述底電池和所述n型重摻雜層之間的鈍化層。
7.根據權利要求1~4任一項所述的疊層電池,其特征在于,所述底電池為晶體硅底電池、多晶硅底電池、鑄錠單晶硅底電池、銅銦鎵硒底電池、鈣鈦礦底電池、砷化鎵底電池、有機光伏底電池中的任一種。
8.一種權利要求1~7任一項所述的疊層電池的制作方法,其特征在于,包括:
提供一底電池;
采用真空沉積工藝在所述底電池上形成空穴傳輸層,所述空穴傳輸層的材料包括p型銅鐵礦結構的半導體材料,在背離所述底電池的方向上,所述空穴傳輸層的價帶頂能級逐漸降低;
在所述空穴傳輸層上形成鈣鈦礦吸收層;
在所述鈣鈦礦吸收層上形成電子傳輸層和透明導電層。
9.根據權利要求8所述的疊層電池的制作方法,其特征在于,所述真空沉積工藝為磁控濺射工藝、激光脈沖沉積工藝或熱蒸發鍍膜工藝。
10.根據權利要求8或9所述的疊層電池的制作方法,其特征在于,在所述空穴傳輸層上形成鈣鈦礦吸收層包括:
采用共蒸法在所述空穴傳輸層上形成碘化鉛和溴化銫,
在碘化鉛和溴化銫上涂布甲脒氫碘酸鹽及甲脒氫溴酸鹽混合溶液,形成鈣鈦礦材料薄膜;
對鈣鈦礦材料薄膜進行退火處理,形成鈣鈦礦吸收層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





