[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體器件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011073451.X
• 申請(qǐng)日: 2020-10-09
• 公開（公告）號(hào): CN112736089A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 津田是文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/36;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/77;H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體基底材料，具有第一區(qū)、第二區(qū)、第三區(qū)和第四區(qū)；

絕緣層，形成在位于所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的每個(gè)區(qū)中的所述半導(dǎo)體基底材料上；

半導(dǎo)體層，形成在位于所述第一區(qū)和所第二區(qū)的每個(gè)區(qū)中的所述絕緣層上；

n型的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一柵極電極，所述第一柵極電極經(jīng)由第一柵極絕緣膜形成在位于所述第一區(qū)中的所述半導(dǎo)體層上；

p型的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二柵極電極，所述第二柵極電極經(jīng)由第二柵極絕緣膜形成在位于所述第二區(qū)中的所述半導(dǎo)體層上；

n型的第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第三柵極電極，所述第三柵極電極經(jīng)由第三柵極絕緣膜形成在位于所述第三區(qū)中的所述半導(dǎo)體基底材料上；和

p型的第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第四柵極電極，所述第四柵極電極經(jīng)由第四柵極絕緣膜形成在位于所述第四區(qū)中的所述半導(dǎo)體基底材料上，

其中所述第一柵極絕緣膜是由氧化硅制成的、并且被添加鉿而未添加鋁的絕緣膜，

其中所述第二柵極絕緣膜是由氧化硅制成的、并且被添加鋁而未添加鉿的絕緣膜，

其中所述第三柵極絕緣膜是由氧化硅制成的、并且被添加鋁的絕緣膜，并且

其中所述第四柵極絕緣膜是由氧化硅制成的、并且被添加鉿的絕緣膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第三柵極絕緣膜和所述第四柵極絕緣膜中的每一個(gè)的厚度大于所述第一柵極絕緣膜和所述第二柵極絕緣膜中的每一個(gè)的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中位于所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的每個(gè)區(qū)中的所述半導(dǎo)體層的厚度為10nm至20nm，

其中位于所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的每個(gè)區(qū)中的所述絕緣層的厚度為10nm至20nm，

其中n型的第一阱區(qū)形成在位于所述第一區(qū)的所述半導(dǎo)體基底材料中，使得所述第一阱區(qū)與位于所述第一區(qū)中的所述絕緣層接觸，

其中p型的第二阱區(qū)形成在位于所述第二區(qū)的所述半導(dǎo)體基底材料中，使得所述第二阱區(qū)與位于所述第二區(qū)中的所述絕緣層接觸，

其中n型的第一接地平面區(qū)形成在所述第一阱區(qū)中，使得所述第一接地平面區(qū)與位于所述第一區(qū)中的所述絕緣層接觸，

其中p型的第二接地平面區(qū)形成在所述第二阱區(qū)中，使得所述第二接地平面區(qū)與位于所述第二區(qū)中的所述絕緣層接觸，

其中組成所述第一接地平面區(qū)的雜質(zhì)的濃度高于組成所述第一阱區(qū)的雜質(zhì)的濃度，并且

其中組成所述第二接地平面區(qū)的雜質(zhì)的濃度高于組成所述第二阱區(qū)的雜質(zhì)的濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

其中第一偏移間隔層形成在所述第一柵極電極的側(cè)壁上，

其中第二偏移間隔層形成在所述第二柵極電極的側(cè)壁上，

其中外延生長(zhǎng)層形成在以下前表面中的每個(gè)前表面上：從所述第一柵極電極和所述第一偏移間隔層暴露的、位于所述第一區(qū)的所述半導(dǎo)體層的前表面，以及從所述第二柵極電極和所述第二偏移間隔層暴露的、位于所述第二區(qū)的所述半導(dǎo)體層的前表面，

其中所述第一柵極電極至第四柵極電極、所述第一偏差間隔層至第二偏差間隔層和所述外延生長(zhǎng)層被層間絕緣膜覆蓋，

其中接觸孔形成在所述層間絕緣膜中，并且

其中所述接觸孔被導(dǎo)電材料填充。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第三柵極絕緣膜和所述第四柵極絕緣膜中的每一個(gè)是由氧化硅制成的、并且被添加鋁和鉿兩者的絕緣膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中組成所述第四柵極絕緣膜的鉿原子的數(shù)目與組成所述第四柵極絕緣膜的鋁原子和鉿原子的總數(shù)的比率為75％或更大、且小于100％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，

其中組成所述第三柵極絕緣膜的鉿原子的數(shù)目與組成所述第三柵極絕緣膜的鋁原子和鉿原子的總數(shù)的比率為75％或更大、且小于100％。