[發明專利]基于激光誘導的HJT電池的制備方法及HJT電池

在審

• 申請號: 202011073252.9
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112382680A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 張小明;田得雨;盛健;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

1.一種基于激光誘導的HJT電池的制備方法，其特征在于，包括：

(1)選用硅片襯底，對其進行制絨和清洗處理；

(2)在硅片的表面通過熱氧化工藝沉積正面SiO₂層和背面SiO₂層；

(3)在正面SiO₂層和背面SiO₂層的表面分別沉積N型a-Si:H層及P型a-Si:H層；

(4)利用激光對N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進行誘導晶化處理，形成N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層；

(5)在N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層的表面分別形成TCO層；

(6)在TCO層的表面形成正面電極和背面電極，得到成品。

2.如權利要求1所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(2)包括：

在工藝溫度為600-800℃的條件下，通入O₂和N₂，在硅片的表面形成正面SiO₂層和背面SiO₂層，所述正面SiO₂層和背面SiO₂層的厚度為1-5nm。

3.如權利要求1所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(3)包括：

采用PECVD設備在正面SiO₂層的表面沉積N型a-Si:H層，所述N型a-Si:H層的厚度為1-10nm，光學帶隙為1.5-2.2eV；

采用PECVD設備在背面SiO₂層的表面沉積P型a-Si:H層，所述P型a-Si:H層的厚度為1-10nm，光學帶隙為1.5-2.2eV。

4.如權利要求3所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(3)包括：

所述N型a-Si:H層的沉積條件包括：通入的氣體源為SiH₄、H₂和PH₃，SiH₄的流量為1-10SLM，H₂的流量為5-50SLM，PH₃的流量為1-5SLM，沉積溫度為180-200℃，沉積壓強為50-500Pa；

所述P型a-Si:H層的沉積條件包括：通入的氣體源為SiH₄、H₂和BH₃/B₂H₆/B(CH₃)₃，SiH₄的流量為1-10SLM，H₂的流量為5-50SLM，BH₃/B₂H₆/B(CH₃)₃的流量為1-5SLM，沉積溫度為140-160℃，沉積壓強為50-500Pa。

5.如權利要求1所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，步驟(4)包括：

利用激光對N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進行誘導晶化處理，形成N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層，其中，激光的功率為1-15W，激光處理的時間為50-300s，所述N型nc-Si:H層及P型nc-Si:H層的光學帶隙為2.6-2.8eV。

6.如權利要求5所述的HJT電池的制備方法，其特征在于，所述N型a-Si:H層及P型a-Si:H層進行激光誘導晶化后，形成微晶晶粒，所述微晶晶粒嵌入在N型a-Si:H層及P型a-Si:H層中，晶粒尺寸與N型a-Si:H層及P型a-Si:H層的厚度相同，晶粒密度達10¹⁸cm^-3以上；

所述P型a-Si:H層的暗電導率為0.08-0.1S/cm，所述N型a-Si:H層的暗電導率≥2.0S/cm。