[發明專利]爐管清潔方法及清潔設備

在審

• 申請號: 202011073112.1
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112185863A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 衡鵬;李亮亮;獨虎
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677;F27D25/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種爐管清潔方法，其特征在于，包括：

步驟S1：將預設量的具有疏水性的硅片放入爐管中、并對爐管采用第一預設溫度進行加熱第一預設時間，使得硅片吸收爐管內的污染物。

2.根據權利要求1所述的爐管清潔方法，其特征在于，在步驟S1之前所述爐管清潔方法還包括：

步驟S0：采用含有氫氟酸的溶液對硅片進行清洗，以使得硅片具有疏水性。

3.根據權利要求2所述的爐管清潔方法，其特征在于，還包括：

步驟S2：采用濕氧化的方式、對爐管以第二預設溫度進行加熱第二預設時間，以在吸收有污染物的硅片的表面形成氧化膜，以包裹硅片吸收的污染物；

步驟S3：將形成氧化膜的硅片取出，并進行清洗、以再次獲得具有疏水性的硅片；

多次重復步驟S0-步驟S3，以完成對爐管的清洗。

4.根據權利要求3所述的爐管清潔方法，其特征在于，在爐管采用第一預設溫度進行加熱第一預設時間，使得硅片吸收爐管內的污染物之前，還包括：向爐管內通入惰性氣體、對爐管內的污染物進行吹掃。

5.根據權利要求3所述的爐管清潔方法，其特征在于，所述第二預設溫度為900-1000度，所述第二預設時間為3-20小時。

6.根據權利要求1所述的爐管清潔方法，其特征在于，所述第一預設溫度為600-700度，所述第一預設時間為1-3小時。

7.根據權利要求1所述的爐管清潔方法，其特征在于，將預設量的具有疏水性的硅片放入爐管中，具體為將多個具有疏水性的硅片間隔放置于爐管內的晶舟上。

8.一種爐管清潔設備，應用于權利要求1-7任一項所述的爐管清潔方法，其特征在于，包括：

硅片清洗單元，用于采用含有氫氟酸的溶液對硅片進行清洗，以使得硅片具有疏水性；

硅片傳送單元，用于將將預設量的具有疏水性的硅片放入爐管中；

加熱單元，用于對爐管采用第一預設溫度進行加熱第一預設時間，使得硅片吸收爐管內的污染物；

氧化膜形成單元，用于采用濕氧化的方式、對爐管以第二預設溫度進行加熱第二預設時間，以在吸收有污染物的硅片的表面形成氧化膜，以包裹硅片吸收的污染物。