[發(fā)明專利]光檢測器件和電子設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011072831.1 | 申請日: | 2015-08-21 |
| 公開(公告)號: | CN112447773A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 杉崎太郎 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L27/146;H04N9/04;H04N9/07;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 衛(wèi)李賢;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 器件 電子設備 | ||
本發(fā)明涉及光檢測器件和電子設備。其中,光檢測器件可包括:多個像素,所述多個像素包括:第一像素,所述第一像素包括第一濾色器,所述第一濾色器被配置為透射第一波長范圍的光;以及第二像素,所述第二像素包括第二濾色器,所述第二濾色器被配置為透射第二波長范圍的光,在平面圖中,第一遮光膜圍繞所述第二濾色器,其中,所述第一波長范圍與所述第二波長范圍不同,其中,在所述平面圖中,所述第一濾色器的面積大于所述所述第二濾色器的面積。
本申請是申請日為2015年8月21日、發(fā)明名稱為“固態(tài)成像器件、成像裝置以及電子設備”的申請?zhí)枮?01580045391.1的專利申請的分案申請。
技術領域
本發(fā)明涉及固態(tài)成像器件、成像裝置以及電子設備。特別地,本發(fā)明涉及當使用包括白色(W)像素的濾色器時能夠減少由W像素引起的混色而又不降低由W像素獲得的靈敏度的固態(tài)成像器件、成像裝置以及電子設備。
背景技術
在諸如電荷耦合裝置(charge coupled device,CCD)和互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)圖像傳感器等的固態(tài)成像器件中,在增加像素數量以提高分辨率性能的同時會使像素尺寸逐漸地變小。當像素的尺寸減小至某種程度時,每個像素的靈敏度特性將下降,并且難以獲得必要的靈敏度。
因此,已知如下技術:除了普通的紅色(R),綠色(G)和藍色(B)像素之外,通過布置透過整個可見光區(qū)域中的光的像素(在下文中,被稱為白色(W)像素)來增加靈敏度(例如,參考專利文獻1和2)。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利申請?zhí)亻_第2009-26808號
專利文獻2:日本專利申請?zhí)亻_第2009-81169號
發(fā)明內容
技術問題
通常,與拜耳(Bayer)陣列的固態(tài)成像器件相比,在包括W像素的固態(tài)成像器件中更容易出現混色。由于存在會造成混色的多條光路,因此不容易找到某條光路。然而,作為這樣的可能的路徑之一,存在使光從W像素的濾色器(在下文中也可以稱為CF)中的像素間遮光膜上方的部分穿透至R像素、G像素或B像素(在下文中也可以稱為RGB像素)的CF中的路徑。
現在,包括W像素的固態(tài)成像器件和拜耳陣列的固態(tài)成像器件之間的明顯區(qū)別是:在拜耳陣列的固態(tài)成像器件中,即使當已經通過CF的光入射在不同顏色的CF上時,由于光譜特性差異很大,所以只有很少的光會通過不同顏色的CF。
相反,由于通過W像素的CF的光包括所有波長分量,因此,當這樣的光入射在RGB像素上時,已經通過W像素的CF的光會透過具有各自相應的光譜特性的RGB像素的任意CF。
因此,在包括W像素的固態(tài)成像器件中更可能出現混色,這是劣化圖像質量的重要因素之一。
鑒于上述內容而提出本發(fā)明。特別地,本發(fā)明旨在減少包括W像素的固態(tài)成像器件中的混色而不降低靈敏度。
技術方案
根據本發(fā)明的一個方面的固態(tài)成像器件包括:濾光器,所述濾光器被構造成逐個像素地提取和透過作為入射光本身的白色光和多種特定波長的光;以及像素間遮光膜,所述像素間遮光膜被構造成逐個像素地在所述濾光器中遮蔽來自相鄰像素的光,其中,透過白色光的像素中的像素間遮光膜比透過另一種特定波長的光的像素中的像素間遮光膜更薄。
所述另一種特定波長的光的波長越短,透過所述另一種特定波長的光的所述像素的所述像素間遮光膜可以越厚。
所述多種特定波長的光可以包括紅色光、綠色光和藍色光。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





