[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202011072665.5 | 申請日: | 2020-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN113345930A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 申晃燮;金應澤 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 樸英淑 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板,包括顯示區域和所述顯示區域的周邊的非顯示區域;
像素,配置在所述顯示區域上;
第一堤,配置在所述非顯示區域上,且包括第一子堤和配置在所述第一子堤上的第二子堤;
第一電源線,配置在所述非顯示區域上,且經過所述第一子堤和所述第二子堤之間而連接到所述像素;以及
橋接圖案,配置在所述第一子堤的下方,且與所述第一電源線連接。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一電源線在第一方向上延伸,以與所述第一方向交叉的第二方向為基準,所述橋接圖案的寬度大于所述第一電源線的寬度。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第一子堤在所述第二方向上延伸,以所述第一方向為基準,所述橋接圖案的寬度大于所述第一子堤的寬度。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述第一電源線與向所述第一子堤的外部露出的所述橋接圖案接觸。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述橋接圖案包括導電物質。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述像素包括:
發光元件,配置在所述顯示區域上,且包括第一電極、第二電極以及配置在所述第一電極與所述第二電極之間的發光層;以及
晶體管,配置在所述顯示區域上,且與所述第一電極連接,
所述第二電極向所述非顯示區域延伸而與所述第一電源線連接。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,還包括:
第二電源線,與所述晶體管連接,
所述第一電源線接受第一電壓的施加,所述第二電源線接受具有比所述第一電壓高的電平的第二電壓的施加。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
第二堤,在所述顯示區域與所述第一堤之間配置在所述非顯示區域上,
所述第一電源線配置在所述第二堤的下方。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,
所述第一堤還包括配置在所述第二子堤上的第三子堤,
所述第二堤包括:
第四子堤;以及
第五子堤,配置在所述第四子堤上,
所述第二子堤包括與所述第四子堤相同的物質,
所述第三子堤包括與所述第五子堤相同的物質。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,還包括:
第一絕緣層,配置在所述基板上,
所述第一堤和所述第二堤配置在所述第一絕緣層上,且所述橋接圖案配置在所述第一絕緣層與所述第一子堤之間。
11.根據權利要求10所述的顯示裝置,其中,
所述第一電源線經過所述第四子堤和所述第一絕緣層之間而延伸。
12.根據權利要求10所述的顯示裝置,其中,
所述橋接圖案配置于凹陷部,該凹陷部定義在所述第一絕緣層的上表面。
13.根據權利要求10所述的顯示裝置,其中,
所述橋接圖案配置在開口部,該開口部定義在所述第一絕緣層。
14.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一電源線在第一方向上延伸,所述第一子堤在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸,
以所述第二方向為基準,所述橋接圖案的寬度小于所述第一電源線的寬度,并且以所述第一方向為基準,所述橋接圖案的寬度大于所述第一子堤的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





