[發明專利]高產率CuInP2

有效

• 申請號: 202011071766.0
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112195024B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 于鵬;張健添;楊國偉
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: C09K11/70
• 分類號: C09K11/70;B82Y20/00;B82Y40/00;C01G15/00
• 代理公司: 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367
• 代理人: 李思坪

本發明屬于納米材料制備技術領域，具體涉及高產率CuInP₂S₆量子點的制備，為開發一種能夠高產率高通量制備CuInP₂S₆低維材料的方法，本發明提供一種高產率CuInP₂S₆量子點的制備方法，將經研磨后的CuInP₂S₆晶體與鋰的烷基衍生物混合均勻，進行靜置處理；靜置后的產物經清洗后與水混勻，進行超聲分散處理；對超聲分散后的產物進行離心收集上清液，上清液兌入無水乙醇后離心收集沉淀，沉淀經清洗后再次兌入無水乙醇，離心收集沉淀，最后將沉淀進行干燥得到CuInP₂S₆量子點。采用本發明方法生產CuInP₂S₆量子點，效率高，產率高至28.7％，具有較好的經濟效益。

技術領域

本發明屬于納米材料制備技術領域，具體涉及高產率CuInP₂S₆量子點的制備。

背景技術

CuInP₂S₆晶體是一種具有層狀結構的材料，該材料在室溫下具有鐵電特性，居里點約為 310K，并且還具有產生光學二次諧波的特性。然而，CuInP₂S₆低維材料的制備卻鮮有報道，使得該類材料不能發揮低維材料特有的器件集成、可加工性等方面的優點。

目前，關于鐵電CuInP₂S₆低維材料的制備，僅有采用機械剝離法制備二維薄膜的報道，其鐵電薄膜的厚度極限為4nm。但機械剝離法產率很低，而且不能制備更厚原子層的材料，難以滿足實際生產應用的需求。因此，開發一種能夠高產率高通量制備CuInP₂S₆低維材料 (CuInP₂S₆量子點)的方法成為當務之急。

發明內容

為了克服上述現有技術的不足，本發明提出了一種高產率CuInP₂S₆量子點的制備方法，該方法生產效率高，具有較好的經濟效益。

為了實現上述目的，本發明所采用的技術方案是：

一種高產率CuInP₂S₆量子點的制備方法，具體包括以下步驟：

S1、將經研磨后的CuInP₂S₆晶體與鋰的烷基衍生物混合均勻，然后進行靜置處理；

S2、將步驟S1的產物經清洗后與水混勻，然后進行超聲分散處理；

S3、對步驟S2的產物進行離心收集上清，上清兌入無水乙醇后離心收集沉淀，沉淀經清洗后再次兌入無水乙醇離心收集沉淀，最后將沉淀進行干燥得到CuInP₂S₆量子點。

基于CuInP₂S₆塊體材料中含有比較弱的P-P鍵，破壞P-P鍵是制備量子點的關鍵點，為此，本發明利用鋰的烷基衍生物中高活性的鋰離子去破壞P-P鍵，并在此基礎上開發出了一種高產率CuInP₂S₆量子點的制備方法，采用該方法生產CuInP₂S₆量子點，效率高，產率高，經濟效益好。

優選地，步驟S1所述的CuInP₂S₆晶體與鋰的烷基衍生物的質量比為1：(1-3)。進一步的，CuInP₂S₆晶體與鋰的烷基衍生物的質量比為1：2。

優選地，步驟S2所述清洗后的產物與水的質量比為1：(80-120)。進一步的，清洗后的產物與水的質量比為1：100。