[發明專利]氣體注入系統和包括其的反應器系統

在審

• 申請號: 202011071411.1
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN112626494A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: T.H.阿科斯塔;A.德莫斯;P.韋斯特羅姆;C.米斯金;A.卡伊巴夫瓦拉;A.莫巴萊格
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種氣體注入系統，其包括：

第一氣體歧管，所述第一氣體歧管包括第一氣體入口和多個第一氣體出口；

第二氣體歧管，所述第二氣體歧管包括第二氣體入口和多個第二氣體出口；

多個第一氣體閥，其中所述多個第一氣體出口中的每一個聯接到所述多個第一氣體閥中的至少一個；以及

多個第二氣體閥，其中所述多個第二氣體出口中的每一個聯接到所述多個第二氣體閥中的至少一個，

其中，所述第一氣體入口接收包含第一前體和摻雜劑源的第一氣體，并且

其中，所述第二氣體入口接收包含所述第一前體或第二前體和蝕刻劑的第二氣體。

2.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中所述第二氣體包括所述第一前體。

3.根據權利要求2所述的氣體注入系統，其還包括聯接到第一前體源和所述第一氣體入口的第一流量控制器，以及聯接到所述第一前體源和所述第二氣體入口的第二流量控制器。

4.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中所述第一前體的化學式和所述第二前體的化學式包括一個或多個相同元素。

5.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中所述第一前體選自三氯硅烷、二氯硅烷、硅烷、乙硅烷、丙硅烷和四氯化硅。

6.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中所述摻雜劑選自鍺烷、乙硼烷、磷化氫、胂和三氯化磷。

7.根據權利要求1所述的氣體注入系統，其中所述蝕刻劑包括氯化氫。

8.一種氣體注入系統，其包括：

第一氣體歧管，所述第一氣體歧管包括第一氣體入口和多個第一氣體出口；

第二氣體歧管，所述第二氣體歧管包括第二氣體入口和多個第二氣體出口；

多個第一氣體閥，其中所述多個第一氣體出口中的每一個聯接到所述多個第一氣體閥中的至少一個；以及

多個第二氣體閥，其中所述多個第二氣體出口中的每一個聯接到所述多個第二氣體閥中的至少一個，

其中，所述第一氣體入口接收包括蝕刻劑和摻雜劑源的第一氣體，并且

其中所述第二氣體入口接收包含前體的第二氣體。

9.根據權利要求8所述的氣體注入系統，其中所述第二氣體還包括載氣。

10.根據權利要求8所述的氣體注入系統，其中所述第一氣體還包括載氣。

11.根據權利要求9所述的氣體注入系統，其還包括流量控制器，以控制所述載氣的流速。

12.根據權利要求9所述的氣體注入系統，其中所述載氣選自氮、氫和氦。

13.根據權利要求8所述的氣體注入系統，其中所述前體選自三氯硅烷、二氯硅烷、硅烷、乙硅烷、丙硅烷、四氯化硅。

14.根據權利要求8所述的氣體注入系統，其中所述摻雜劑選自鍺烷、乙硼烷、磷化氫、胂、三氯化磷。

15.一種反應器系統，所述反應器系統包括根據權利要求1所述的氣體注入系統。

16.根據權利要求15所述的反應器系統，其還包括感受器，其中，所述感受器以約60到約30、約30到約15或約15到約5轉/分鐘的旋轉速度旋轉。

17.一種使用根據權利要求1所述的氣體注入系統將材料沉積在反應室內的襯底表面上的方法。

18.根據權利要求17所述的方法，其還包括以約60到約30、約30到約15或約15到約5轉/分鐘的旋轉速度旋轉感受器的步驟。