[發明專利]一種ZnO薄膜的干法刻蝕方法在審
| 申請號： | 202011070446.3 | 申請日： | 2020-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN112185818A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 高鈺麒;咸馮林;徐林華;匡文劍;鄭改革;曹兆樓;李金花;楊明珠;裴世鑫 | 申請（專利權）人： | 南京信息工程大學 |
| 主分類號： | H01L21/4763 | 分類號： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 南京匯盛專利商標事務所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 張立榮;喬煒 |
| 地址： | 210044 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno 薄膜 刻蝕 方法 | ||
1.一種ZnO薄膜的干法刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、對ZnO薄膜進行清洗，吹干后待用；
步驟二、在ZnO薄膜表面旋涂一層光刻膠；
步驟三、通過掩模紫外曝光和丙酮清洗獲得所需圖案；
步驟四、對ICP刻蝕的刻蝕腔進行抽真空；
步驟五、向刻蝕腔內通入甲烷、氫氣和氬氣，氣體流量分別為3 sccm、8 sccm和5sccm，調節真空腔壓強為0.13Pa；
步驟六、對刻蝕腔進行預刻蝕；
步驟七、在刻蝕腔內載入ZnO薄膜，調節刻蝕溫度為20攝氏度，射頻功率設置為200 W，ICP功率設置為500W至1000W，進行刻蝕，完成后取出樣品，使用丙酮超聲清洗去除光刻膠，獲得最終樣品。
2.根據權利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蝕方法，其特征在于：所述ZnO薄膜為藍寶石襯底上生長的厚度3微米的ZnO薄膜。
3.根據權利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蝕方法，其特征在于：ZnO薄膜分別在丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗15分鐘后，用氮氣進行吹干。
4.根據權利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蝕方法，其特征在于：所述步驟二中，在ZnO薄膜表面旋涂光刻膠的旋涂速度為5000rpm，光刻膠厚度為1.5微米。
5.根據權利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蝕方法，其特征在于：所述步驟四中，對刻蝕腔進行抽真空使真空度達到6×10-6 Pa。
6.根據權利要求1所述ZnO薄膜的干法刻蝕方法，其特征在于：所述步驟七中，刻蝕時間為10分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
