[發明專利]淺溝槽隔離結構的制造方法及其形成的淺溝槽隔離結構

有效

• 申請號: 202011069600.5
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN111933570B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 陳宏瑋;楊子億;陳文俊;曹平
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 夏苗苗

1.一種淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，其包括：

提供一襯底；

于所述襯底上形成墊氧化層和墊氮化層，并使用第一刻蝕制程刻蝕所述墊氮化層、墊氧化層及部分襯底以形成隔離溝槽；

使用一具有預設溫度為 80～150℃的表面處理液來消除所述隔離溝槽內襯底表面上的離子電荷和 /或殘氧基團，所述表面處理液對所述襯底進行處理的時間為 3~20min，形成一第一氧化層，所述第一氧化層的厚度為 6-13nm，所述表面處理液包括硫酸和氧化物的混合溶液，所述硫酸和氧化物的比例為 (2.2～6.3)： 1；

使用第二刻蝕制程刻蝕所述墊氮化層、所述墊氧化層及所述第一氧化層，以暴露所述襯底并形成一寬度為 1-15nm的臺階，所述第二刻蝕制程采用濕法刻蝕制程，所述濕法刻蝕制程包括：

使用磷酸進行第一次濕法刻蝕，以刻蝕所述墊氮化層；

使用所述表面處理液對第一次濕法刻蝕后的隔離溝槽進行表面處理；使用氫氟酸進行第二次濕法刻蝕，以刻蝕所述墊氧化層和所述第一氧化層；

使用原位蒸汽產生制程在所述隔離溝槽內形成一第二氧化層以鈍化所述臺階，而形成鈍化后的隔離溝槽；

于所述鈍化后的隔離溝槽中沉積絕緣介質，平坦化所述絕緣介質以形成所述淺溝槽隔離結構。

2. 根據權利要求 1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕制程采用干法刻蝕制程。

3. 根據權利要求 1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述氧化物為過氧化氫或臭氧。

4.一種淺溝槽隔離結構，其特征在于，采用權利要求 1~3任意一項所述的淺溝槽隔離結構的制造方法形成的所述淺溝槽隔離結構。