[發(fā)明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011069175.X | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112186123B | 公開(公告)日: | 2022-08-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳海晶;冷傳利;馮亞明 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
陣列層,位于所述襯底基板的一側;
發(fā)光結構層,位于所述陣列層遠離所述襯底基板的一側,所述發(fā)光結構層包括多個子像素,所述子像素包括相同顏色的第一子像素和第二子像素;
去衍射結構層,位于所述發(fā)光結構層遠離所述襯底基板的一側,所述去衍射結構層包括多個去衍射結構,所述去衍射結構包括第一去衍射結構和第二去衍射結構,所述第一去衍射結構和所述第一子像素一一對應,所述第一去衍射結構和與其對應的所述第一子像素在所述襯底基板的垂直投影至少部分交疊,所述第二去衍射結構和所述第二子像素一一對應,所述第二去衍射結構和與其對應的所述第二子像素在所述襯底基板的垂直投影至少部分交疊;所述去衍射結構包括第一子層和第二子層,所述第一子層的折射率與所述第二子層的折射率不同;所述第一去衍射結構中的第一子層與所述第一去衍射結構中的第二子層的體積之和與所述第二去衍射結構中的第一子層與所述第二去衍射結構中的第二子層的體積之和相同;所述第一去衍射結構中的第一子層的體積與所述第二去衍射結構中的第一子層的體積不同;在同一方向上,所述第一去衍射結構中的第一子層的厚度之和與所述第二去衍射結構中的第一子層的厚度之和不同;
同一光線經(jīng)所述第一去衍射結構和所述第二去衍射結構后的光程差大于零。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第一去衍射結構中的第一子層與所述第一去衍射結構中的第二子層層疊設置;
在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第二去衍射結構的第一子層與所述第二去衍射結構的第二子層層疊設置;
在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第一去衍射結構中的第一子層的厚度之和為h1,所述第二去衍射結構中的第一子層的厚度之和為h2;其中,
h1>h2。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第一去衍射結構中的所述第一子層位于所述第一去衍射結構一側或者兩側的表面;
和/或,在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第二去衍射結構中的所述第一子層位于所述第二去衍射結構一側或者兩側的表面。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在第一方向上,所述第一去衍射結構中的第一子層與所述第一去衍射結構中的第二子層層疊設置,所述第一方向平行于所述襯底基板;
在所述第一方向上,所述第二去衍射結構的第一子層與所述第二去衍射結構的第二子層層疊設置;
所述第一方向平行于所述襯底基板、且由所述第一子像素指向所述第二子像素;
在所述第一方向上,所述第一去衍射結構中的第一子層的厚度之和為d1,所述第二去衍射結構中的第一子層的厚度之和為d2;其中,
d1>d2。
5.根據(jù)權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一去衍射結構中的第一子層為多個,所述第二去衍射結構中的第一子層為多個;
在所述第一方向上,所述第一去衍射結構中的第一子層與所述第二去衍射結構中的第一子層的厚度相同;
所述第一去衍射結構中的第一子層的個數(shù)大于所述第二去衍射結構中的第一子層的個數(shù)。
6.根據(jù)權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一去衍射結構中的第一子層在所述第一去衍射結構中均勻排布;
所述第二去衍射結構中的第一子層在所述第二去衍射結構中均勻排布。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述去衍射結構層還包括多個去衍射結構組,所述去衍射結構組包括M行沿第二方向、N列沿第三方向排列的所述去衍射結構,其中,所述第二方向和所述第三方向相交;
所述第一去衍射結構與所述第二去衍射結構在所述去衍射結構組中隨機排布;其中,
M>2,N>2。
8.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一去衍射結構與所述第二去衍射結構在所述去衍射結構層中隨機排布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





