[發明專利]一種相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法在審
| 申請號： | 202011069054.5 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112144111A | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 黃傳威;張逸豪 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/22;C23C14/28;C23C14/08;C25B11/04;C25B1/04;C25B11/06;B01J23/745 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人： | 李瑩 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 工程 調控 鐵基鈣鈦礦 氧化物 薄膜 電催化 活性 方法 | ||
1.一種相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，用脈沖激光在襯底層上轟擊靶材，調整沉積過程中動態氧分壓為1.0～30.0Pa，得到具有不同相結構的SrFeO3-x(0x≤0.5)單晶薄膜，所述靶材為SrFeO2.97。
2.如權利要求1所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，腔體內背底真空度小于2×10-5Pa，沉積溫度為600～800℃。
3.如權利要求1所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，激光光源為KrF準分子激光，激光波長為248nm，激光脈寬10ns，激光能量密度為1.0J/cm2～4.0J/cm2，激光頻率為1Hz～10Hz。
4.如權利要求1所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，沉積過程中動態氧分壓為5.0Pa時，得到SrFeO2.5單晶薄膜。
5.如權利要求4所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，所述SrFeO2.5單晶薄膜為鈣鐵石相結構。
6.如權利要求1所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，所述SrFeO3-x(0x≤0.5)單晶薄膜的厚度為10～40nm。
7.如權利要求1所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，所述襯底層包括單晶襯底以及La0.7Sr0.3MnO3導電網絡。
8.如權利要求7所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法，其特征在于，所述La0.7Sr0.3MnO3導電網絡的厚度為10-15nm。
9.如權利要求1-8任一項所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法在制備不同相結構的SrFeO3-x(0x≤0.5)單晶薄膜的應用。
10.一種不同相結構的SrFeO3-x(0x≤0.5)單晶薄膜，其特征在于，用權利要求1-8任一項所述的相變工程調控鐵基鈣鈦礦氧化物薄膜電催化活性的方法制得。
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