[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011066070.9
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN114334974A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任倫;金興成
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有選擇開關(guān)晶體管；

第一介質(zhì)層，位于所述基底上，且覆蓋所述選擇開關(guān)晶體管；

鰭式堆疊電容，位于所述第一介質(zhì)層的上表面，且部分嵌入所述第一介質(zhì)層內(nèi)；所述鰭式堆疊電容與所述選擇開關(guān)晶體管的漏極電連接；

第二介質(zhì)層，位于所述第一介質(zhì)層的上表面，且覆蓋所述鰭式堆疊電容；

第一金屬層，位于所述第二介質(zhì)層的上表面；所述第一金屬層至少包括板線，所述板線與所述鰭式堆疊電容電連接；

第三介質(zhì)層，位于所述第二介質(zhì)層的上表面，且覆蓋所述第一金屬層；

第二金屬層，位于所述第三介質(zhì)層的上表面，所述第二金屬層包括位線，所述位線與所述選擇開關(guān)晶體管的源極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成有若干個電容溝槽；

所述鰭式堆疊電容包括：下電極、電容介質(zhì)層及上電極；所述下電極覆蓋相鄰所述電容溝槽之間的所述第一介質(zhì)層的上表面、所述溝槽陣列外側(cè)的部分所述第一介質(zhì)層的上表面、所述電容溝槽的側(cè)壁及底部，且與所述選擇開關(guān)晶體管的漏極電連接；所述電容介質(zhì)層覆蓋所述下電極的上表面；所述上電極覆蓋所述電容介質(zhì)層的上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鰭式堆疊電容的下表面呈齒狀或波浪狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鰭式堆疊電容自所述漏極的上方延伸至所述選擇開關(guān)晶體管的柵極的上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述選擇開關(guān)晶體管的柵極位于所述第一介質(zhì)層內(nèi)，所述電容延伸入所述第一介質(zhì)層內(nèi)。

6.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底，并于所述基底上形成選擇開關(guān)晶體管；

于所述基底的上表面形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述選擇開關(guān)晶體管；

于所述第一介質(zhì)層的上表面形成鰭式堆疊電容，所述鰭式堆疊電容部分嵌入所述第一介質(zhì)層內(nèi)，且與所述選擇開關(guān)管的漏極電連接；

于所述第一介質(zhì)層的上表面形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述鰭式堆疊電容；

于所述第二介質(zhì)層的上表面形成第一金屬層，所述第一金屬層至少包括板線，所述板線與所述鰭式堆疊電容電連接；

于所述第二介質(zhì)層的上表面形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述第一金屬層；

于所述第三介質(zhì)層的上表面形成第二金屬層，所述第二金屬層包括位線，所述位線與所述選擇開關(guān)晶體管的源極電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，于所述第一介質(zhì)層的上表面形成鰭式堆疊電容，包括：

于所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成若干個電容溝槽；

于至少一所述電容溝槽的下方形成第一互連通孔，所述第一互連通孔暴露出所述選擇開關(guān)晶體管的漏極；

于所述第一互連通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)電插塞；

于所述電容溝槽的側(cè)壁、所述電容溝槽的底部及所述第一介質(zhì)層的上表面形成下電極材料層；

于所述下電極材料層的上表面形成電容介質(zhì)材料層；

于所述電容介質(zhì)層材料層的上表面形成上電極材料層；

去除部分位于所述第一介質(zhì)層的上表面的所述下電極材料層、所述電容介質(zhì)材料層及所述上電極材料層，以形成包括由下至上依次疊置的下電極、電容介質(zhì)層及上電極的所述鰭式堆疊電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，形成所述下電極材料層之后且形成所述電容介質(zhì)材料層之前還包括對所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述熱處理的溫度包括500℃～850℃。