[發(fā)明專利]一種射頻濾波器及其制作方法

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• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112436821A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設計）人: 繆建民;張金姣
• 申請（專利權）人: 邁感微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64;H03H9/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明提供一種射頻濾波器及其制作方法，射頻濾波器包括：襯底、上電極層、下電極層、加熱層和氮化鎵層；所述襯底包括通孔區(qū)；所述下電極層設置于所述襯底的一側；所述加熱層設置于所述襯底遠離所述下電極層的一側，所述下電極層和所述加熱層在所述通孔區(qū)相接觸；所述氮化鎵層設置于所述加熱層遠離所述襯底的一側；所述上電極層設置于所述氮化鎵層遠離所述襯底的一側。本發(fā)明提供的射頻濾波器的工作性能不受環(huán)境溫度的影響，可以在超低溫度下正常工作。

技術領域

本發(fā)明涉及通信器件技術領域，尤其涉及一種射頻濾波器及其制作方法。

背景技術

體聲波(BAW，Bulk Acoustic Wave)射頻濾波器在通信領域有著重要的作用，相比于傳統(tǒng)的濾波器，體聲波射頻濾波器具有低損耗和高隔離的特性。

然而，BAW射頻濾波器在超低溫度下頻率溫度系數會增大，BAW射頻濾波器的頻率隨溫度變化而發(fā)生變化，最終會導致BAW射頻濾波器不能正常工作。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供了一種射頻濾波器及其制作方法，本發(fā)明提供的射頻濾波器的工作性能不受環(huán)境溫度的影響，可以在超低溫度下正常工作。

第一方面，本發(fā)明提供一種射頻濾波器，包括：襯底、上電極層、下電極層、加熱層和氮化鎵層；所述襯底包括通孔區(qū)；所述下電極層設置于所述襯底的一側；

所述加熱層設置于所述襯底遠離所述下電極層的一側，所述下電極層和所述加熱層在所述通孔區(qū)相接觸；所述氮化鎵層設置于所述加熱層遠離所述襯底的一側；所述上電極層設置于所述氮化鎵層遠離所述襯底的一側。

可選的，本發(fā)明提供的射頻濾波器還包括：第一加熱電極和第二加熱電極；所述第一加熱電極和所述第二加熱電極位于所述加熱層遠離所述襯底的表面，且所述第一加熱電極和所述第二加熱電極與所述氮化鎵層不接觸。

可選的，所述第一加熱電極和所述第二加熱電極位于所述加熱層相對的兩側。

可選的，所述加熱層為硅摻氮化鎵層。

可選的，所述襯底的材料包括硅、氮化鎵或藍寶石。

可選的，所述加熱層的厚度為5～100納米。

第二方面，本發(fā)明提供一種射頻濾波器的制作方法，包括：

提供一襯底，在所述襯底一側生長加熱層；

在所述加熱層遠離所述襯底一側生長氮化鎵層；

刻蝕所述襯底遠離所述加熱層的一側形成通孔區(qū)；

在所述襯底遠離所述加熱層一側設置下電極層，所述下電極層和所述加熱層在所述通孔區(qū)相接觸；

在所述氮化鎵層遠離襯底一側生長上電極層。

可選的，本發(fā)明提供的射頻濾波器方法還包括：

在所述加熱層遠離所述襯底的表面設置第一加熱電極和第二加熱電極，且所述第一加熱電極和所述第二加熱電極與所述氮化鎵層不接觸。

可選的，所述第一加熱電極和所述第二加熱電極位于所述加熱層相對的兩側。

可選的，所述加熱層的厚度為5～100納米。

本實施例提供的射頻濾波器通過設置加熱層，在極低的工作環(huán)境中可以通過向加熱層施加外加電壓可以使得加熱層溫度升高，從而使射頻濾波器內部溫度升高，確保射頻濾波器具有超低的頻率溫度系數，從而保證射頻濾波器在低溫環(huán)境下性能穩(wěn)定，可以正常工作。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的一種射頻濾波器的剖面結構示意圖；

圖2為本發(fā)明提供一種射頻濾波器的制作方法流程圖。

具體實施方式