[發(fā)明專利]一種防滴液半導(dǎo)體自動(dòng)刻蝕裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011065453.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112201595A | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫妖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 青田林心半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;B08B1/00;B08B15/02;B08B17/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 323900 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 防滴液 半導(dǎo)體 自動(dòng) 刻蝕 裝置 | ||
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域,公開了一種防滴液半導(dǎo)體自動(dòng)刻蝕裝置,包括主箱體,主箱體內(nèi)設(shè)有刻蝕腔,刻蝕腔后側(cè)設(shè)有運(yùn)輸帶輪腔,運(yùn)輸帶輪腔前端壁和刻蝕腔后端壁之間連通設(shè)有連接塊腔,運(yùn)輸帶輪腔后側(cè)設(shè)有傳動(dòng)帶輪腔,通過霧化刻蝕液并使其均勻彌漫至半導(dǎo)體掩膜刻蝕槽內(nèi),避免因?yàn)榭涛g液用量不一而造成刻蝕程度不一的問題,保證了樣品的良率,此外,通過設(shè)置刻蝕液處理機(jī)構(gòu),有效清除了凝結(jié)在刻蝕腔上壁的刻蝕液和掩膜上多余的刻蝕液,減少液滴滴落在樣品上產(chǎn)生的刻蝕不均的情況,而且防止多余刻蝕液進(jìn)入刻蝕槽而影響到刻蝕效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域,尤其是一種防滴液半導(dǎo)體自動(dòng)刻蝕裝置。
背景技術(shù)
目前常有的半導(dǎo)體濕法刻蝕方式主要有噴淋式和浸潤(rùn)式,然而在噴淋式刻蝕過程中,刻蝕液雖然可以均勻噴灑至掩膜上,但由于刻蝕圖案不規(guī)則,掩膜各處用到的刻蝕液量不盡相同,從而造成刻蝕程度不一的現(xiàn)象,影響了樣品的良率,此外,刻蝕過程中揮發(fā)出的刻蝕液容易在刻蝕腔的上表面冷凝形成液滴,隨著液滴逐漸積累最終會(huì)滴落到待刻蝕的半導(dǎo)體掩膜上,從而產(chǎn)生刻蝕不均的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種防滴液半導(dǎo)體自動(dòng)刻蝕裝置,能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,從而提高設(shè)備的實(shí)用性。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:本發(fā)明的一種防滴液半導(dǎo)體自動(dòng)刻蝕裝置,包括主箱體,所述主箱體內(nèi)設(shè)有刻蝕腔,所述刻蝕腔后側(cè)設(shè)有運(yùn)輸帶輪腔,所述運(yùn)輸帶輪腔前端壁和所述刻蝕腔后端壁之間連通設(shè)有連接塊腔,所述運(yùn)輸帶輪腔后側(cè)設(shè)有傳動(dòng)帶輪腔,所述傳動(dòng)帶輪腔和所述運(yùn)輸帶輪腔之間設(shè)有向上延伸的蝸輪蝸桿腔,所述蝸輪蝸桿腔左側(cè)設(shè)有轉(zhuǎn)輪腔,所述轉(zhuǎn)輪腔前端壁連通設(shè)有供液活塞腔,所述供液活塞腔內(nèi)滑動(dòng)配合連接有供液活塞,所述主箱體內(nèi)設(shè)有位于所述供液活塞腔上側(cè)的刻蝕液儲(chǔ)存腔,所述供液活塞腔前側(cè)設(shè)有空氣壓縮室,所述供液活塞腔上端壁和所述刻蝕液儲(chǔ)存腔下端壁之間連通設(shè)有活塞腔通管,所述活塞腔通管上固定連接有上單向閥,所述供液活塞腔下端壁和所述空氣壓縮室后端壁之間連通設(shè)有壓縮室通管,所述壓縮室通管上固定連接有下單向閥,所述連接塊腔內(nèi)滑動(dòng)配合連接有連接塊,所述連接塊前端面固定連接有位于所述刻蝕腔內(nèi)的清理塊,所述清理塊下端面固定連接有掩膜清理板,所述清理塊內(nèi)設(shè)有開口向上的擠壓板滑塊腔,所述擠壓板滑塊腔內(nèi)滑動(dòng)配合連接有部分位于所述刻蝕腔內(nèi)的擠壓板滑塊,所述擠壓板滑塊下端面和所述擠壓板滑塊腔下端壁之間固定連接有第一彈簧,所述擠壓板滑塊上端面固定連接有擠壓板,所述擠壓板上端面固定連接有吸液海綿,所述吸液海綿上端面和所述刻蝕腔上端壁抵接。
在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上,所述刻蝕腔下端壁固定連接有位于所述刻蝕腔內(nèi)工作臺(tái),所述工作臺(tái)內(nèi)設(shè)有開口向上的啟動(dòng)滑塊腔,所述啟動(dòng)滑塊腔內(nèi)滑動(dòng)配合連接有啟動(dòng)滑塊,所述啟動(dòng)滑塊下端面和所述啟動(dòng)滑塊腔下端壁之間固定連接有啟動(dòng)彈簧,所述啟動(dòng)滑塊腔右端面固定連接有接觸開關(guān),所述刻蝕腔下側(cè)設(shè)有回收腔,所述刻蝕腔下端壁連通設(shè)有位于所述工作臺(tái)右側(cè)的液體收集腔,所述液體收集腔下端壁和所述回收腔上端壁之間連通設(shè)有液體下落腔,所述刻蝕腔前端壁連通設(shè)有開口向前的進(jìn)出腔,所述主箱體前端面鉸接有位于外界的蓋板,所述蓋板前端面固定連接有蓋板把手。
在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上,所述主箱體內(nèi)設(shè)有位于所述傳動(dòng)帶輪腔后側(cè)的電機(jī),所述電機(jī)前端面固定連接有向前貫穿所述傳動(dòng)帶輪腔且向前延伸至所述運(yùn)輸帶輪腔內(nèi)的主動(dòng)軸,所述主動(dòng)軸上固定連接有位于所述運(yùn)輸帶輪腔內(nèi)的第一帶輪,所述運(yùn)輸帶輪腔后端壁轉(zhuǎn)動(dòng)配合連接有向前延伸至所述運(yùn)輸帶輪腔內(nèi)的運(yùn)輸帶輪輔軸,所述運(yùn)輸帶輪輔軸上固定連接有位于所述運(yùn)輸帶輪腔內(nèi)的第二帶輪,所述第二帶輪和所述第一帶輪之間動(dòng)力配合連接有運(yùn)輸傳送帶,所述運(yùn)輸帶輪腔內(nèi)滑動(dòng)配合連接有滑動(dòng)塊,所述滑動(dòng)塊內(nèi)設(shè)有前后貫穿的滑動(dòng)塊內(nèi)腔,所述滑動(dòng)塊內(nèi)腔內(nèi)滑動(dòng)配合連接有推塊,所述運(yùn)輸傳送帶前端面固定連接有推塊連接桿,所述推塊連接桿和所述推塊轉(zhuǎn)動(dòng)配合連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





