[發(fā)明專利]石墨基座和MOCVD設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011065399.3
• 申請(qǐng)日: 2020-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN112359414A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳張笑雄;葛永暉;梅勁;郭炳磊;盧云霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): C30B25/18
• 分類號(hào): C30B25/18;C30B25/14;C23C16/458;C23C16/455;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種石墨基座，其特征在于，所述石墨基座為圓盤形結(jié)構(gòu)，所述石墨基座的第一圓形端面(100)包括多個(gè)外延片容置槽(110)和多個(gè)弧面凹槽(120)，所述多個(gè)外延片容置槽(110)沿所述第一圓形端面(100)徑向呈多層圓環(huán)排列，所述圓環(huán)的圓心與所述第一圓形端面(100)的圓心重合，所述弧面凹槽(120)均勻間隔布置于所述多個(gè)外延片容置槽(110)之間的第一圓形端面(100)上，所述弧面凹槽(120)的內(nèi)表面呈球冠狀。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的深度沿從所述第一圓形端面(100)的圓心向所述第一圓形端面(100)的邊緣的方向逐漸遞增，所述弧面凹槽(120)的球面半徑沿從所述第一圓形端面(100)的圓心向所述第一圓形端面(100)的邊緣的方向逐漸遞增，所述弧面凹槽(120)的開口直徑沿從所述第一圓形端面(100)的圓心向所述第一圓形端面(100)的邊緣的方向逐漸遞增。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的深度為0.2mm～1mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨基座，其特征在于，位于所述第一圓形端面(100)的中心區(qū)域的所述弧面凹槽(120)的深度為0.2mm，位于所述第一圓形端面(100)的邊緣區(qū)域的所述弧面凹槽(120)的深度為1mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4任一項(xiàng)所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的球面半徑為1mm～3mm，所述弧面凹槽(120)的開口直徑為3mm～5mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石墨基座，其特征在于，位于所述第一圓形端面(100)的中心區(qū)域的所述弧面凹槽(120)的球面半徑為1mm，位于所述第一圓形端面(100)的中心區(qū)域的所述弧面凹槽(120)的開口直徑為3mm，位于所述第一圓形端面(100)的邊緣區(qū)域的所述弧面凹槽(120)的球面半徑為3mm，位于所述第一圓形端面(100)的邊緣區(qū)域的所述弧面凹槽(120)的開口直徑為5mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的石墨基座，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述弧面凹槽(120)的開口邊緣之間的距離小于相鄰兩個(gè)所述弧面凹槽(120)的平均開口直徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的開口邊緣與所述外延片容置槽(110)的開口邊緣的最小距離為3mm～6mm，所述弧面凹槽(120)的開口邊緣和所述第一圓形端面(100)的邊緣的最小距離為3mm～6mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的內(nèi)表面鍍有SiC層。

10.一種MOCVD設(shè)備，其特征在于，所述MOCVD設(shè)備包括反應(yīng)室(200)、轉(zhuǎn)軸(300)、出氣口(400)和石墨基座(500)；所述石墨基座(500)為圓盤形結(jié)構(gòu)，所述石墨基座(500)的第一圓形端面(100)包括多個(gè)外延片容置槽(110)和多個(gè)弧面凹槽(120)，所述多個(gè)外延片容置槽(110)沿所述第一圓形端面(100)徑向呈多層圓環(huán)排列，所述圓環(huán)的圓心與所述第一圓形端面(100)的圓心重合，所述弧面凹槽(120)均勻間隔布置于所述多個(gè)外延片容置槽(110)之間的第一圓形端面(100)上，所述弧面凹槽(120)的內(nèi)表面呈球冠狀；所述石墨基座(500)設(shè)置在所述反應(yīng)室(200)內(nèi)；所述出氣口(400)設(shè)置在所述反應(yīng)室(200)上，所述出氣口(400)朝向所述石墨基座(500)設(shè)有所述多個(gè)外延片容置槽(110)和所述多個(gè)弧面凹槽(120)的圓形端面(100)；所述轉(zhuǎn)軸(300)和所述出氣口(400)位于所述石墨基座(500)的相反兩側(cè)，所述轉(zhuǎn)軸(300)與所述石墨基座(500)同軸連接。