[發明專利]量子點、包括其的組合物和圖案化膜及包括其的顯示裝置在審
| 申請號： | 202011065092.3 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112592710A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 安珠娫;李鍾敏;金澤勛;田信愛;金泰坤;高勞姆·樸 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/88;G03F7/004;G03F7/027 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 任旭;程月 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子 包括 組合 圖案 顯示裝置 | ||
1.一種量子點，所述量子點包括：
納米顆粒模板，包括第一半導體納米晶體，第一半導體納米晶體包括II-VI族化合物；
量子阱，包括第二半導體納米晶體并設置在納米顆粒模板上，第二半導體納米晶體包括除了鋁之外的IIIA族金屬和V族元素；以及
殼，包括第三半導體納米晶體并設置在量子阱上，第三半導體納米晶體包括II-VI族化合物，
其中，所述量子點不包括鎘，
第二半導體納米晶體的帶隙能比第一半導體納米晶體的帶隙能小，
第二半導體納米晶體的帶隙能比第三半導體納米晶體的帶隙能小，并且
所述量子點包括附加金屬，附加金屬包括堿金屬、堿土金屬、鋁、鐵、鈷、鎳、銅、鋅或它們的組合。
2.根據權利要求1所述的量子點，其中，附加金屬包括鋰、鈉、鋁或它們的組合。
3.根據權利要求1所述的量子點，其中，附加金屬包括鎂。
4.根據權利要求1所述的量子點，其中，所述量子點還包括鹵素，其中，鹵素是氟、氯或它們的組合。
5.根據權利要求1所述的量子點，其中，第一半導體納米晶體中的II-VI族化合物包括鋅硫屬化物，第三半導體納米晶體中的II-VI族化合物包括鋅硫屬化物。
6.根據權利要求1所述的量子點，其中，第一半導體納米晶體的組成不同于第三半導體納米晶體的組成。
7.根據權利要求1所述的量子點，其中，第一半導體納米晶體包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它們的組合，第三半導體納米晶體包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它們的組合。
8.根據權利要求1所述的量子點，其中，量子阱包括銦和磷。
9.根據權利要求4所述的量子點，其中，附加金屬和鹵素存在于納米顆粒模板與量子阱之間的界面處、量子阱內部、量子阱與殼之間的界面處或它們的組合。
10.根據權利要求1所述的量子點，其中，所述量子點的紫外-可見吸收光譜曲線在450納米至620納米的波長范圍內不具有拐點。
11.根據權利要求7所述的量子點，其中，在所述量子點中，基于量子點的總摩爾數，銦和磷的總摩爾量小于20％。
12.根據權利要求7所述的量子點，其中，納米顆粒模板包括鋅和硒，并且殼包括鋅、硒和硫，并且
在所述量子點中，鋅相對于硒和硫的總和的摩爾比大于或等于1:1。
13.根據權利要求7所述的量子點，其中，量子阱包括多個層，并且所述多個層之中的第一層的組成不同于所述多個層之中的第二層的組成，第一層與第二層相鄰。
14.根據權利要求1所述的量子點，其中，所述量子點包括位于所述量子點的表面上的有機配體，
其中，有機配體包括RCOOH、RCOOCOR、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、R2POOH或它們的組合，其中，R和R'均獨立地為取代或未取代的C1至C30脂肪族烴基、取代或未取代的C6至C30芳香族烴基或者它們的組合。
15.根據權利要求4所述的量子點，其中，相對于包括納米顆粒模板、量子阱和殼但不包括附加金屬或鹵素的量子點，所述量子點呈現出增加的量子效率和朝向較短波長偏移的發射波長。
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