[發(fā)明專(zhuān)利]一種PBn型InAsSb紅外探測(cè)器材料

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011065080.0
• 申請(qǐng)日: 2020-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112331738A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧功榮;楊文運(yùn);龔曉霞;肖婷婷;楊紹培;宋欣波;范明國(guó);袁俊;趙鵬;黃暉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆明物理研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/109
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專(zhuān)利中心 11120
• 代理人: 周蜜

1.一種PBn型InAsSb紅外探測(cè)器材料，其特征在于：所述紅外探測(cè)器材料的結(jié)構(gòu)從上向下依次為頂電極接觸層(1)、勢(shì)壘層(2)、吸收層(3)、底電極接觸層(4)、緩沖層(5)以及襯底(6)；

其中，所述頂電極接觸層(1)的厚度為100nm～300nm；

所述勢(shì)壘層(2)的厚度為100nm～200nm；

所述吸收層(3)的厚度為2000nm～3000nm；

所述底電極接觸層(4)的厚度為200nm～500nm；

所述緩沖層(5)的厚度為50nm～200nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PBn型InAsSb紅外探測(cè)器材料，其特征在于：所述頂電極接觸層(1)的材料為摻雜Be的p型GaSb單晶；Be的摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁸cm^-3；

所述勢(shì)壘層(2)的材料為摻雜Be的p型AlAs_0.08Sb_0.92單晶，Be的摻雜濃度為5×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁶cm^-3；

所述吸收層(3)的材料為非故意摻雜InAs_0.91Sb_0.09材料；

所述底電極接觸層(4)材料為n型InAs_0.91Sb_0.09單晶且摻雜Si，Si的摻雜濃度為10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3；

所述緩沖層(5)材料為非故意摻雜GaSb材料；

所述襯底(6)材料為摻雜Te的n型GaSb材料，Te的摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3～5×10¹⁷cm^-3。

3.一種如權(quán)利要求1或2所述的一種PBn型InAsSb紅外探測(cè)器材料的制備方法，其特征在于：

(1)在襯底(6)上生長(zhǎng)緩沖層(5)；

(2)在緩沖層(5)上生長(zhǎng)底電極接觸層(4)；

(3)在底電極接觸層(4)上生長(zhǎng)吸收層(3)；

(4)在吸收層(3)上生長(zhǎng)勢(shì)壘層(2)；

(5)在勢(shì)壘層(2)上生長(zhǎng)頂電極接觸層(1)，制備得到一種PBn型InAsSb紅外探測(cè)器材料。