[發明專利]一種用于集成電路的工藝腔室中氣體分配裝置

在審

• 申請號: 202011064358.2
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112071736A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 陸橋宏;曹俊;范海玲;張伏貴
• 申請（專利權）人: 無錫展碩科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/305;H01L21/67
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

本發明涉及集成電路刻蝕中氣體分配技術領域，具體涉及一種用于集成電路的工藝腔室中氣體分配裝置，包括分配座和蓋板，分配座的頂部開設有內腔，分配座的底壁軸心周圍均勻開設有噴淋孔；分配座的頂壁內側開設有第一密封槽，且第一密封槽內嵌設有第一密封圈；分配座的頂部可拆卸連接有蓋板，蓋板的軸心處開設有進氣孔，蓋板的底部密封焊接有分配板，分配板的底部與分配座的內腔頂部相密封抵接；分配板包括隔板、環形板、分配孔、環形凸塊和第二密封槽，環形板的內壁中部密封焊接有隔板，解決了現有技術中使用的氣體分配裝置大多一方面存在結構復雜、裝配繁瑣的缺陷，另一方面氣體分布均勻效果差，從而影響刻蝕加工的良品率的問題。

技術領域

本發明涉及集成電路刻蝕中氣體分配技術領域，具體涉及一種用于集成電路的工藝腔室中氣體分配裝置。

背景技術

反應離子刻蝕機是微電子工藝制造技術中的重要刻蝕設備，隨著集成電路制造技術的蓬勃發展，反應離子刻蝕機在國內科研單位和高等院校的相關專業實驗室中逐漸成為不可或缺的設備。目前國內這方面所使用的反應離子刻蝕機主要還是由外國進口，雖能提供所需的基本刻蝕性能但價格昂貴，而國產設備由于設計所限，關鍵刻蝕參數如選擇比、均勻性和刻蝕速率等，往往達不到最佳的匹配狀態，因此較難提供高階的刻蝕表現。

從設計的角度講，反應離子刻蝕機的氣體分配板是決定刻蝕機性能的一個重要元素，它影響著氣體注入、等離子產生和刻蝕的均勻性。傳統氣體分配板利用密集型氣孔來分配氣體到反應腔，雖然密集型氣孔覆蓋著反應腔大部分的面積，但現有技術中使用的氣體分配裝置大多一方面存在結構復雜、裝配繁瑣的缺陷，另一方面氣體分布均勻效果差，從而影響刻蝕加工的良品率，因此亟需研發一種用于集成電路的工藝腔室中氣體分配裝置來解決上述問題。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種用于集成電路的工藝腔室中氣體分配裝置，通過一系列結構的設計和使用，解決了現有技術中使用的氣體分配裝置大多一方面存在結構復雜、裝配繁瑣的缺陷，另一方面氣體分布均勻效果差，從而影響刻蝕加工的良品率的問題。

本發明通過以下技術方案予以實現：

一種用于集成電路的工藝腔室中氣體分配裝置，包括分配座和蓋板，所述分配座的頂部開設有內腔，所述分配座的底壁軸心周圍均勻開設有噴淋孔；

所述分配座的頂壁內側開設有第一密封槽，且所述第一密封槽內嵌設有第一密封圈；

所述分配座的頂部可拆卸連接有所述蓋板，所述蓋板的軸心處開設有進氣孔，所述蓋板的底部密封焊接有分配板，所述分配板的底部與所述分配座的內腔頂部相密封抵接；

所述分配板包括隔板、環形板、分配孔、環形凸塊和第二密封槽，所述環形板的內壁中部密封焊接有所述隔板，位于所述隔板上下兩側的所述環形板上均勻開設有所述分配孔，所述環形板的底部密封焊接有所述環形凸塊，所述環形凸塊的底部開設有所述第二密封槽，且所述第二密封槽內嵌設有第二密封圈。

優選的，所述噴淋孔位于所述環形凸臺的內側，且所述噴淋孔的孔徑為2-5mm。

優選的，所述第一密封圈和所述第二密封圈均為耐高溫耐腐蝕的氫化丁腈橡膠O型圈。

優選的，上下兩側所述分配孔的孔徑為5-8mm，且每側所述分配孔開設的數量由上至下至少呈三列設置。

優選的，所述環形板的內側分別與所述隔板、所述蓋板之間圍成第一分配腔；所述分配板的外側分別與所述分配座的內腔、所述蓋板之間圍成第二分配腔；所述環形板的內側分別與所述隔板、所述分配座之間圍成第三分配腔。

優選的，所述分配座的頂部外側和所述蓋板的外側上下一一對應開設有若干鎖緊螺孔，且上下兩側所述鎖緊螺孔內插接有鎖緊螺桿，通過所述鎖緊螺桿將所述蓋板和所述分配座相鎖緊。

優選的，上下兩側所述鎖緊螺孔設置的數量分別至少為十組。