[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號： | 202011064254.1 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112701135A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 申旼澈 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 趙嫦;康泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，包括：
設置在第一基板上的晶體管；
設置在所述晶體管上的絕緣層；
設置在所述絕緣層上的第一電極；
設置在所述第一電極和所述絕緣層上的隔離物，其中通過所述隔離物限定開口；
設置在所述開口中的發光元件層；以及
設置在所述發光元件層和所述隔離物上的第二電極，
其中所述絕緣層包括彼此具有不同的高度的第一區域和第三區域以及具有連接所述第一區域和所述第三區域的傾斜表面的第二區域，
所述第一區域具有比所述第三區域低的高度，并且
所述第一電極在垂直于所述第一基板的方向上與所述第一區域重疊。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：
所述隔離物包括包含硅的無機材料。
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其中：
所述隔離物進一步包括碳。
4.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：
所述隔離物包括選自SiOx、SiNx、SiOxNy和硅氧烷中的至少一種材料。
5.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：
所述隔離物的厚度在至的范圍內。
6.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：
所述隔離物和所述發光元件層之間的折射率差小于所述隔離物的折射率的50％。
7.如權利要求1所述的顯示裝置，其中：
所述隔離物具有與所述第二區域重疊的傾斜表面。
8.如權利要求7所述的顯示裝置，其中：
所述第二區域中的所述第一電極設置在所述絕緣層和所述隔離物之間。
9.一種顯示裝置，包括：
設置在基板上的晶體管；
設置在所述晶體管上的絕緣層；
設置在所述絕緣層上的第一電極；
設置在所述絕緣層和所述第一電極之間的反射構件；
設置在所述第一電極和所述絕緣層上的隔離物，其中通過所述隔離物限定開口；
設置在所述開口中的發光元件層；以及
設置在所述發光元件層和所述隔離物上的第二電極，
其中鄰近于所述開口的所述反射構件的側表面包括傾斜表面。
10.一種顯示裝置，包括：
設置在基板上的晶體管；
設置在所述晶體管上的絕緣層；
設置在所述絕緣層上的第一電極；
設置在所述第一電極上的反射構件；
設置在所述第一電極、所述反射構件和所述絕緣層上的隔離物，其中通過所述隔離物限定開口；
設置在所述開口中的發光元件層；以及
設置在所述發光元件層和所述隔離物上的第二電極，
其中鄰近于所述開口的所述反射構件的側表面包括傾斜表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司，未經三星顯示有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011064254.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：SPAD的淬滅
- 下一篇：針對電機線棒表面電場與溫度的快速檢驗方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
