[發明專利]一種超材料吸波體有效
| 申請號： | 202011063755.8 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112332108B | 公開（公告）日： | 2022-04-15 |
| 發明（設計）人： | 鄧光晟;呂坤;孫寒嘯;楊軍;尹治平 | 申請（專利權）人： | 合肥工業大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 230009 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 材料 吸波體 | ||
1.一種超材料吸波體，其特征在于，所述超材料吸波體包括多個吸波單元；每個所述吸波單元包括金屬背板、介質基板以及電阻膜三維結構；
所述金屬背板設置在所述介質基板的一面；所述電阻膜三維結構內嵌于所述介質基板中；
所述電阻膜三維結構包括四個第一電阻膜片、第一方環電阻膜片、四個第二電阻膜片和第二方環電阻膜片；所述第一電阻膜片的尺寸大于所述第二電阻膜片的尺寸；所述第一方環電阻膜片的尺寸大于所述第二方環電阻膜片的尺寸；
相鄰兩個所述第一電阻膜片垂直交叉連接形成三維空間的第一井字結構；所述第一方環電阻膜片穿設于所述第一井字結構與各所述第一電阻膜片交叉連接，所述第一方環電阻膜片所在平面與各所述第一電阻膜片所在平面垂直；
相鄰兩個所述第二電阻膜片垂直交叉連接形成三維空間的第二井字結構；所述第二方環電阻膜片穿設于所述第二井字結構與各所述第二電阻膜片交叉連接，所述第二方環電阻膜片所在平面與各所述第二電阻膜片所在平面垂直；
所述第二井字結構設置于所述第一井字結構的井口中；
所述第一方環電阻膜片所在平面與所述第二方環電阻膜片所在平面平行。
2.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述電阻膜三維結構內嵌于所述介質基板正中間。
3.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述第二井字結構設置于所述第一井字結構的井口正中間。
4.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述第一電阻膜片、第一方環電阻膜片、第二電阻膜片和第二方環電阻膜片中的電阻膜的方阻阻值均為80Ω/□。
5.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述介質基板的介電常數為2。
6.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述介質基板的材料為聚四氟乙烯，所述聚四氟乙烯的損耗為0.02。
7.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述第一電阻膜片的尺寸為L1×h1，所述第二電阻膜片的尺寸為L2×h2；其中，L1＞L2，h1＝h2。
8.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述第一方環電阻膜片的尺寸為b1×b2，所述第二方環電阻膜片的尺寸為c1×c2；其中，b1＞b2＞c1＞c2。
9.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述金屬背板的厚度為0.017mm。
10.根據權利要求1所述的超材料吸波體，其特征在于，所述介質基板為長方體，其中，長方體的高為h，寬和長均為a。
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