[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011062708.1
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN114334971A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 楊曉芳;金興成;郭崇永;張建
• 申請（專利權）人: 無錫華潤微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 楊明莉

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有選擇開關晶體管；

第一介質層，位于所述基底上，且覆蓋所述選擇開關晶體管；

電容，位于所述第一介質層的上表面，包括下電極、電容介質層及上電極，所述電容介質層覆蓋所述下電極的上表面及側面，所述上電極覆蓋所述電容介質層的上表面和側面，所述下電極與所述選擇開關晶體管的漏極電連接；

第二介質層，位于所述第一介質層的上表面，且覆蓋所述電容，所述電容位于所述第二介質層內部；

金屬層，位于所述第二介質層的上表面；所述金屬層至少包括板線，所述板線與所述電容電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一介質層內形成有第一導電插塞，所述第一導電插塞的一端與所述下電極電連接，另一端與所述選擇開關晶體管的漏極電連接；

所述第二介質層內形成有第二導電插塞，所述第二導電插塞的一端與所述上電極電連接，另一端與所述板線電連接。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電容自所述漏極的上方延伸至所述選擇開關晶體管的柵極的上方。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電容介質層包括鋯摻雜氧化鉿薄膜層；所述電容介質層中鋯、鉿及氧的摩爾比為0.3:0.3:0.5～0.7:0.7:2.5。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述下電極的橫截面呈梯形；

所述電容介質層包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆蓋所述下電極的上表面及側面，所述第二部分位于所述上電極與所述第一介質層之間，且所述第二部分與所述第一部分一體設置。

6.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底，并于所述基底上形成選擇開關晶體管；

于所述基底的上表面形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述選擇開關晶體管；

于所述第一介質層的上表面形成電容，所述電容包括下電極、電容介質層及上電極，所述電容介質層覆蓋所述下電極的上表面及側面，所述上電極覆蓋所述電容介質層的上表面和側面，所述下電極與所述選擇開關晶體管的漏極電連接；

于所述第一介質層的上表面形成第二介質層，所述第二介質層覆蓋所述電容，所述電容位于所述第二介質層內部；

于所述第二介質層的上表面形成金屬層，所述金屬層至少包括板線，所述板線與所述電容電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于所述第一介質層的上表面形成電容，包括：

于所述第一介質層的上表面形成下電極；

于所述下電極的上表面、所述下電極的側面及所述第一介質層的上表面形成電容介質材料層；

于所述電容介質材料層的表面形成上電極材料層；

去除位于所述第一介質層上表面的所述上電極材料層及位于所述第一介質層上表面的所述電容介質材料層，保留的位于所述下電極上表面及側面的所述電容介質材料層即為電容介質層，保留的位于所述電容介質層的上表面及側面的所述上電極材料層即為所述上電極。

8.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于形成電容之后且于形成第二介質層之前，還包括對所得結構進行退火處理的步驟。

9.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為450℃～750℃。

10.根據權利要求7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于所述第一質層上表面形成電容之前，還包括：

于所述第一介質層內形成第一互連通孔，所述第一互連通孔暴露出所述選擇開關晶體管的漏極；

于所述第一互連通孔內形成第一導電插塞。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，于所述第二介質層的上表面形成金屬層之前，還包括：

于所述第二介質層內形成第二互連通孔，所述第二互連通孔暴露所述上電極；

于所述第二互連通孔內形成第二導電插塞。