[發明專利]發光二極管外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 202011061495.0 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112366255B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發明（設計）人： | 姚振;從穎;董彬忠;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，其特征在于，所述發光二極管外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的GaN緩沖層、成核層、GaN填平層、n型GaN層、有源層及p型GaN層，
所述成核層、所述GaN填平層中均摻雜有n型雜質，所述成核層中n型雜質的摻雜濃度、所述GaN填平層中n型雜質的摻雜濃度及所述n型GaN層中n型雜質的摻雜濃度依次增加，且所述n型GaN層中n型雜質的摻雜濃度為2E8～6E18/cm3。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述成核層包括交替層疊的第一GaN成核層與第二GaN成核層，所述第一GaN成核層為摻雜有n型雜質的GaN材料制備，所述第二GaN成核層為非摻雜GaN材料制備。
3.根據權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第一GaN成核層中n型雜質的摻雜濃度為1E17～6E17/cm3。
4.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN填平層中n型雜質的摻雜濃度，在所述GaN填平層的生長方向上先增大后減小。
5.根據權利要求4所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN填平層中n型雜質的摻雜濃度為所述成核層中n型雜質的摻雜濃度的5～10倍。
6.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN填平層中n型雜質摻雜濃度為所述n型GaN層中n型雜質的摻雜濃度的0.15～0.5倍。
7.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述GaN填平層中n型雜質的摻雜濃度為1E18-6E18/cm3。
8.一種發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述發光二極管外延片制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長GaN緩沖層；
在所述GaN緩沖層上生長成核層，所述成核層中均摻雜有n型雜質；
在所述成核層上生長GaN填平層，所述GaN填平層中摻雜有n型雜質，所述GaN填平層中n型雜質的摻雜濃度大于所述成核層中n型雜質的摻雜濃度；
在所述GaN填平層上生長n型GaN層，所述n型GaN層中n型雜質的摻雜濃度大于所述GaN填平層中n型雜質的摻雜濃度，所述n型GaN層中n型雜質的摻雜濃度為2E8～6E18/cm3；
在所述n型GaN層上生長有源層；
在所述有源層上生長p型GaN層。
9.根據權利要求8所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述在所述GaN填平層上生長n型GaN層，包括：
向反應腔通入反應氣體并間斷性通入Si源，在所述GaN填平層上生長n型GaN層。
10.根據權利要求9所述的發光二極管外延片制備方法，其特征在于，每次向所述反應腔通入180～300s的流量為40～80的Si源。
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