[發明專利]一種深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器

在審

• 申請號: 202011061047.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112213821A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 張恩濤;林治全;陳永琦;陳永雄;周橋;李敬;王磊;何幸鍇;沈琪皓;楊峰;張勍
• 申請（專利權）人: 西南技術物理研究所
• 主分類號: G02B6/255
• 分類號: G02B6/255;G02B6/245;G02B6/25;H01S3/067
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 劉二格

1.一種深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器，其特征在于，主激光方向從左向右，設定左側為主激光的雙包層傳輸光纖，包括左側傳輸光纖纖芯(3)、包覆在左側傳輸光纖纖芯(3)上的左側傳輸光纖包層(2)、以及包覆在左側傳輸光纖包層(2)上的左側傳輸光纖涂覆層(1)；右側為雙包層光纖和泄漏層光的光纖通過拉錐或者腐蝕形成的錐形結構，包括右側傳輸光纖纖芯(4)、包覆在右側傳輸光纖纖芯(4)上的右側傳輸光纖包層(5)、以及包覆在右側傳輸光纖包層(5)上的右側傳輸光纖涂覆層(6)，錐形結構的左端為右側傳輸光纖椎體(7)，右側傳輸光纖纖芯(4)外周均勻排布多根包層光導引光纖，每根包層光導引光纖包括包層光導引光纖裸光纖(8)和包覆在包層光導引光纖裸光纖(8)上的包層光導引光纖涂覆層(9)。

2.如權利要求1所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器，其特征在于，所述左側主激光的雙包層傳輸光纖與右側的一根雙包層傳輸光纖和多根包層光導引光纖熔接，左側傳輸光纖纖芯(3)中的激光直接耦合入右側傳輸光纖纖芯(4)中，包層光中的殘余泵浦光以及高階模通過多根包層光導引光纖裸光纖(8)傳輸至任意方便散熱的地方。

3.如權利要求2所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器，其特征在于，所述右側傳輸光纖椎體(7)采用氫氟酸刻蝕的方法制作。

4.如權利要求3所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器，其特征在于，所述左側傳輸光纖包層(2)和左側傳輸光纖纖芯(3)的右端通過刻蝕方法形成椎體端。

5.如權利要求4所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器，其特征在于，所述左側傳輸光纖涂覆層(1)、左側傳輸光纖包層(2)和左側傳輸光纖纖芯(3)形成左側激光輸入端，右側傳輸光纖纖芯(4)、右側傳輸光纖包層(5)、右側傳輸光纖涂覆層(6)和右側傳輸光纖椎體(7)形成右側激光傳輸端，左側激光輸入端除去涂覆層，并對端頭切割為平面結構或通過氫氟酸刻蝕為錐形結構，右側激光傳輸端除去涂覆層，通過氫氟酸刻蝕為錐形結構。

6.基于權利要求5所述深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：先將傳輸光纖切割為兩部分，一段為左側激光輸入端，另一段為右側激光傳輸端；左側激光輸入端除去涂覆層，并將端頭處理為平面結構或錐形結構，右側激光傳輸端除去涂覆層，處理為錐形結構；

S2：準備數根導引光纖，將其去除涂覆層之后，將導引光纖和右側激光傳輸端集束在一起；

S3：將左側激光輸入端與數根導引光纖和右側激光傳輸端的集束椎體熔接；

S4：對上述光纖結構進行封裝。

7.如權利要求6所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，對左側激光輸入端端頭切割為平面結構或通過氫氟酸刻蝕為錐形結構。

8.如權利要求7所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，右側激光傳輸端通過氫氟酸刻蝕為錐形結構。

9.如權利要求8所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，導引光纖有6根，均勻排布在右側激光傳輸端外周。

10.如權利要求6所述的深度剝除的光纖導引式高功率光纖包層光剝除器制備方法，其特征在于，所述右側激光傳輸端的椎體結構參數、導引光纖的粗細影響剝除器剝除深度。