[發明專利]顯示基板及顯示面板在審
| 申請號: | 202011060839.6 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN114335071A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 劉弘;徐敬義;許曉春;劉建濤;陳婉芝;徐成福;李波;張永強;劉鵬;郝瑞瑞;馮宇;武新國 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本發明提供一種顯示基板及顯示面板,屬于顯示技術領域。本發明的顯示基板,其包括顯示區和環繞所述顯示區的周邊區;所述顯示基板包括:基底;多層絕緣層,沿背離所述基底方向依次設置;所述多層絕緣層中的每層位于所述顯示區和所述周邊區;凸起結構,設置在所述多層絕緣層中至少部分兩相鄰的之間,且所述凸起結構位于所述周邊區。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及顯示面板。
背景技術
顯示面板包括液晶面板、OLED(OrganicLight-Emitting Diode;有機電致發光二極管)面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes;量子點發光二極管)面板等各種類型;其中,以液晶面板為例,其通常是由一彩膜基板(Color Filter Substrate,CFSubstrate)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFTArray Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成。發明人發現顯示面板在結構可靠性分離強度測試中,顯示面板的陣列基板的周邊區的絕緣層之間容易出現開裂現象。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種顯示基板及顯示面板。
第一方面,本公開實施例提供一種顯示基板,包括顯示區和環繞所述顯示區的周邊區;所述顯示基板包括:
基底;
多層絕緣層,沿背離所述基底方向依次設置;所述多層絕緣層中的每層位于所述顯示區和所述周邊區;
凸起結構,設置在所述多層絕緣層中的至少部分兩相鄰的絕緣層之間,且所述凸起結構位于所述周邊區。
其中,所述凸起結構的側壁上設置有環繞其周向的凹槽。
其中,所述多層絕緣層包括沿背離所述基底方向依次設置的層間絕緣層和平坦化層;所述凸起結構位于所述層間絕緣層和所述平坦化層之間。
其中,還包括設置在所述基底上的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管位于所述顯示區;所述層間絕緣層位于所述薄膜晶體管的源極和漏極所在層靠近所述基底的一側;所述凸起結構與所述薄膜晶體管的源極和漏極同層設置。
其中,所述凸起結構沿背離所述基底方向疊層設置的第一子結構、第二子結構、第三子結構;所述薄膜晶體管的源極和漏極均包括沿背離所述基底方向疊層設置的第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層;其中,所述第一子結構和所述第一金屬層同層設置且材料相同;所述第二子結構與所述第二金屬層同層設置且材料相同;所述第三子結構與所述第三金屬層同層設置且材料相同。
其中,當所述凸起結構的側壁上設置有環繞其周向的凹槽時,所述第二子結構在所述基底上的正投影的外邊界位于所述第一子結構、所述第三子結構在所述基底上的正投影的外邊界內側,以在所述凸起結構的側壁形成所述凹槽。
其中,所述第三子結構靠近基底的表面與第二子結構的外邊界所在表面的切線的夾角為55°-75°。
其中,所述第一金屬層、第二金屬層和所述第三金屬層的材料包括鈦、鉬、鋁、銅中的至少一種或幾種組合。
其中,所述凸起結構位于所述周邊區的拐角位置。
其中,所述凸起結構環繞所述顯示區設置。
其中,所述凸起結構的數量為至少一個個,且所述凸起結構連續設置。
其中,所述凸起結構的數量為多個,且多個間隔設置。
其中,每個所述凸起結構在所述基底上的正投影的形狀包括正方形或者矩形。
第二方面,本公開實施例提供一種顯示面板,其包括上述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





