[發明專利]存儲芯片的數據處理方法、裝置、計算機設備及存儲介質有效
| 申請號: | 202011060409.4 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112162935B | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發明(設計)人: | 倪黃忠;盧穎福 | 申請(專利權)人: | 深圳市時創意電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F11/10 |
| 代理公司: | 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 賈振勇 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區新橋街道新發東路*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 芯片 數據處理 方法 裝置 計算機 設備 介質 | ||
本發明適用于數據處理技術領域,提供了一種存儲芯片的數據處理方法、裝置、計算機設備及存儲介質,該方法包括:接收主設備發送的數據讀取請求,所述數據讀取請求中攜帶有邏輯塊地址;根據地址映射表查找與所述邏輯塊地址對應的物理塊地址,所述地址映射表中存儲有邏輯塊地址與物理塊地址的映射關系;確定所述物理塊地址對應的物理塊的誤碼率是否超過預設誤碼率閾值;若確定所述物理塊的誤碼率超過預設誤碼率閾值,則將所述物理塊中的有效數據轉存到空白物理塊中,并將讀取到的有效數據返回給所述主設備。
技術領域
本發明屬于數據處理技術領域,尤其涉及一種存儲芯片的數據處理方法、裝置、計算機設備及存儲介質。
背景技術
市場上的存儲芯片由閃存控制器和閃存介質組成。而閃存按介質來分為:SLCNand、MLC Nand、TLC Nand、QLC Nand。SLC Nand的一個存儲單元Cell保存1Bit數據;MLCNand的一個存儲單元Cell保存2Bit數據;TLC Nand的一個存儲單元Cell保存3Bit數據;QLCNand的一個存儲單元Cell保存4Bit數據(圖1至圖3為SLC,MLC,TLC存儲單元的電壓分布圖)
因為一個Cell保存的數據越多,要求的精確度就越高,其帶來的互擾性就越大。這就決定了就穩定性和可靠性而言,SLC Nand會優于MLC Nand,MLC Nand優于TLC Nand,TLCNand優于QLC Nand。加之隨著擦寫次數的增加,在TLC和QLC保存的數據出現誤碼率就更高。如果此時閃存控制器不及時介入處理,發生數據位的翻轉將會變得不可糾正,而發生UECC(Nand控制器的ECC引擎糾不回來),即保存的數據發生不可逆的錯誤,所以閃存控制器的固件需要一種解決這一數據發生不可逆錯誤的方法。
發明內容
本發明實施例提供一種存儲芯片的數據處理方法、裝置、計算機設備及存儲介質,旨在解決現有技術當中存儲芯片發生數據不可逆的錯誤。
本發明實施例是這樣實現的,一種存儲芯片的數據處理方法,所述方法包括:
接收主設備發送的數據讀取請求,所述數據讀取請求中攜帶有邏輯塊地址;
根據地址映射表查找與所述邏輯塊地址對應的物理塊地址,所述地址映射表中存儲有邏輯塊地址與物理塊地址的映射關系;
確定所述物理塊地址對應的物理塊的誤碼率是否超過預設誤碼率閾值;
若確定所述物理塊的誤碼率超過預設誤碼率閾值,則將所述物理塊中的有效數據轉存到空白物理塊中,并將讀取到的有效數據返回給所述主設備。
本發明實施例還提供了一種存儲芯片的數據處理裝置,所述裝置包括:
接收模塊,用于接收主設備發送的數據讀取請求,所述數據讀取請求中攜帶有邏輯塊地址;
查找模塊,用于根據地址映射表查找與所述邏輯塊地址對應的物理塊地址,所述地址映射表中存儲有邏輯塊地址與物理塊地址的映射關系;
確定模塊,用于確定所述物理塊地址對應的物理塊的誤碼率是否超過預設誤碼率閾值;
轉存模塊,用于若確定所述物理塊的誤碼率超過預設誤碼率閾值,則將所述物理塊中的有效數據轉存到空白物理塊中,并將讀取到的有效數據返回給所述主設備。
本發明實施例還提供一種計算機設備,包括處理器、存儲器、以及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序,所述處理器運行所述計算機程序時,所述計算機設備執行上述的存儲芯片的數據處理方法。
本發明實施例還提供一種存儲介質,其上存儲有計算機程序,該計算機程序被處理器執行時實現上述的存儲芯片的數據處理方法。
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