[發明專利]半導體工藝設備及其進氣機構有效
| 申請號: | 202011060316.1 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112359344B | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 蘭玥 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝設備 及其 機構 | ||
1.一種進氣機構,設置于半導體工藝設備的工藝腔室上,用于將氣體導入所述工藝腔室內,其特征在于,包括進氣筒組件;
所述進氣筒組件內形成有氣體通路,并且所述進氣筒組件的兩端分別為進氣口及出氣口;所述氣體通路的內徑沿所述進氣口至所述出氣口的方向變??;所述進氣口與所述半導體工藝設備的供氣源連接,所述出氣口與所述工藝腔室的頂部連接;
所述進氣筒組件的內壁上還設置有螺旋線組,所述螺旋線組用于使流經所述氣體通路的氣體產生渦旋,以使得進入所述工藝腔室內的氣體呈渦旋狀態;
所述螺旋線組包括多條螺旋線,多條所述螺旋線為凹設于所述進氣筒組件的內壁上的陰線和/或凸設于所述進氣筒組件的內壁上的陽線。
2.如權利要求1所述的進氣機構,其特征在于,所述進氣機構還包括相互連接的安裝套筒和進氣組件,其中,所述安裝套筒與所述進氣口連接,所述進氣組件與所述半導體工藝設備的供氣源連接,所述進氣組件用于通過所述安裝套筒向所述進氣筒組件內導入氣體。
3.如權利要求2所述的進氣機構,其特征在于,所述進氣組件包括主管路、以及與所述主管路連通的至少兩條進氣支路,所述主管路設置于所述安裝套筒頂面的中部位置;至少兩條所述進氣支路設置于所述供氣源與所述主管路之間,用于向所述主管路導入氣體。
4.如權利要求1所述的進氣機構,其特征在于,所述進氣筒組件包括至少一個錐形筒,至少一個所述錐形筒內形成所述氣體通路,所述錐形筒的內壁上自所述進氣口至所述出氣口的任意一條直線與軸線之間呈預設夾角,所述預設夾角的數值小于45度。
5.如權利要求4所述的進氣機構,其特征在于,所述進氣筒組件包括多個錐形筒,所述錐形筒的兩端分別為子進氣口及子出氣口,且多個所述錐形筒首尾相連接,并且任意兩相鄰的所述錐形筒的子出氣口與子進氣口內徑相同。
6.如權利要求5所述的進氣機構,其特征在于,所述氣體通路的內徑變化狀態為線性變小、非線性變小或者間接變小。
7.如權利要求5所述的進氣機構,其特征在于,所述進氣筒組件還包括連接管,所述連接管用于連接任意兩相鄰的所述錐形筒。
8.如權利要求1所述的進氣機構,其特征在于,多條所述螺旋線均由所述進氣口延伸至所述出氣口,并且多條所述螺旋線在所述進氣筒組件的內壁均勻分布。
9.一種半導體工藝設備,其特征在于,包括供氣源、工藝腔室以及如權利要求1至8的任一所述的進氣機構,其中,所述進氣口與所述半導體工藝設備的供氣源連接,所述出氣口與所述工藝腔室的頂部連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





