[發明專利]鈮酸鋰薄膜超晶格的制備方法

有效

• 申請號: 202011060218.8
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112195520B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 尹志軍;崔國新;葉志霖;許志城
• 申請（專利權）人: 南京南智先進光電集成技術研究院有限公司
• 主分類號: C30B33/04
• 分類號: C30B33/04;C30B29/30;G02F1/355
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種鈮酸鋰薄膜超晶格的制備方法，其特征在于，包括：

1)制備套刻用的套刻標記；

所述套刻標記的制備方法包括：

在樣片上采用紫外光光刻的方法制備套刻標記光刻膠圖形；

在光刻好的結構上鍍上一層不易去除的30nm-300nm厚的金屬；

利用丙酮或NMP溶液，去除光刻膠，留下套刻用的金屬標記，得到套刻標記；

2)根據套刻標記，采用光刻法在x切的鈮酸鋰薄膜表面制備周期性叉指電極結構，其中，每兩個叉指電極結構之間間隔一個周期，叉指與鈮酸鋰z軸垂直；

3)在光刻好的叉指電極結構上鍍上一層金屬電極；

4)去除光刻膠，得到周期性叉指電極；

5)在一側叉指電極上接入電極正極，另一側叉指電極接地，然后施加電場，使得叉指電極之間疇翻轉，然后去除電極，得到第一周期性疇翻轉結構；

6)將套刻標記向右平移一個周期的距離，重復步驟2)～5)，得到第二周期性疇翻轉結構；

7)重復執行步驟6)，直至得到的所有疇翻轉結構之間的間距相等，完成制備。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中光刻法為紫外光刻的方法。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中金屬電極為鋁、鎳、鉻或鈦。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟4)中去除光刻膠的方法是利用丙酮或NMP溶液腐蝕去除。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟5)中施加的電場為100V～400V，根據周期大小和矯頑場確定。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟6)中套刻標記均是在前一次的基礎上向右平移，平移的一個周期的距離與每兩個叉指電極結構之間間隔相等。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟7)至少重復1次，得到第三周期性疇翻轉結構。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟6)中，制備第一周期性疇翻轉結構的第一根電極和制備第二周期性疇翻轉結構的第二根電極之間的電場超過疇翻轉的矯頑場，第二根電極與制備第三周期性疇翻轉結構的第三根電極之間的電場低于矯頑場。