[發(fā)明專利]半導體裝置及電子設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011059595.X
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112750832A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設計）人: 山崎舜平;木村肇;國武寬司
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

1.一種半導體裝置，包括：

在第一方向上延伸的結構體；

在第二方向上延伸的第一導電體；以及

在所述第二方向上延伸的第二導電體，

其中，所述結構體包括：

在所述第一方向上延伸的第三導電體；

與所述第三導電體相鄰的第一絕緣體；

與所述第一絕緣體相鄰的第一半導體；以及

與所述第一半導體相鄰的第二絕緣體，

在所述結構體與所述第一導電體交叉的第一交叉部，所述半導體裝置在所述結構體與所述第一導電體之間包括：

與所述第二絕緣體相鄰的第二半導體；以及

與所述第二半導體相鄰的第三絕緣體，

在所述結構體與所述第二導電體交叉的第二交叉部，所述結構體包括：

與所述第二絕緣體相鄰的第四導電體；以及

與所述第四導電體相鄰的第四絕緣體，

在所述第一交叉部，所述第一絕緣體、所述第一半導體、所述第二絕緣體、所述第二半導體以及所述第三絕緣體圍繞所述第三導電體設置為同心狀，

并且，在所述第二交叉部，所述第一絕緣體、所述第一半導體、所述第二絕緣體、所述第四導電體以及所述第四絕緣體圍繞所述第三導電體設置為同心狀。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第一方向與所述第二方向正交。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第一交叉部用作第一晶體管，

并且所述第二交叉部用作第二晶體管及電容器。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第一半導體為氧化物半導體。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體包含銦和鋅中的至少一個。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第二半導體為氧化物半導體。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體包含銦和鋅中的至少一個。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，用作NAND型存儲裝置。

9.一種電子設備，包括：

權利要求1所述的半導體裝置；以及

操作開關、電池以及顯示部中的至少一個。