[發明專利]一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機在審
| 申請號: | 202011059432.1 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112185860A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 金逸超 | 申請(專利權)人: | 金逸超 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 054000 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 蝕刻 灰化 清洗 | ||
1.一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其結構包括機體(1)、清洗槽(2)、頂蓋(3),所述頂蓋(3)與機體(1)的上端鉸鏈連接,其特征在于:所述清洗槽(2)嵌固于機體(1)的內部位置;
所述清洗槽(2)包括支撐塊(21)、承載盤(22)、底板(23),所述支撐塊(21)與承載盤(22)活動卡合,所述承載盤(22)嵌固于底板(23)的上端位置。
2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其特征在于:所述支撐塊(21)包括受力板(a1)、底置板(a2)、固定桿(a3)、彈力片(a4)、滾動珠(a5),所述受力板(a1)與底置板(a2)的上端活動卡合,所述底置板(a2)與固定桿(a3)嵌固連接,所述彈力片(a4)固定于受力板(a1)與底置板(a2)之間,所述滾動珠(a5)安裝于受力板(a1)與底置板(a2)之間。
3.根據權利要求2所述的一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其特征在于:所述受力板(a1)包括外推塊(a11)、板體(a12)、連接塊(a13),所述外推塊(a11)與連接塊(a13)的上端嵌固連接,所述連接塊(a13)與板體(a12)間隙配合。
4.根據權利要求3所述的一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其特征在于:所述外推塊(a11)包括吸附盤(b1)、承接板(b2)、蓄液槽(b3)、伸縮桿(b4),所述吸附盤(b1)與伸縮桿(b4)的上端嵌固連接,所述蓄液槽(b3)與承接板(b2)為一體化結構,所述伸縮桿(b4)與蓄液槽(b3)活動卡合。
5.根據權利要求4所述的一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其特征在于:所述吸附盤(b1)包括接觸板(c1)、引導板(c2)、擠壓球(c3),所述引導板(c2)與接觸板(c1)的內側嵌固連接,所述擠壓球(c3)安裝于接觸板(c1)的內部位置。
6.根據權利要求5所述的一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其特征在于:所述擠壓球(c3)包括附著面(c31)、內置板(c32)、聯動板(c33)、內接塊(c34),所述內置板(c32)與附著面(c31)的內側嵌固連接,所述聯動板(c33)與內置板(c32)的內側相連接,所述聯動板(c33)與內接塊(c34)活動卡合。
7.根據權利要求6所述的一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗機,其特征在于:所述內置板(c32)包括導液腔(d1)、框架(d2)、分流塊(d3),所述導液腔(d1)與框架(d2)為一體化結構,所述分流塊(d3)嵌固于框架(d2)的內壁底部位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





