[發(fā)明專利]一種三維分層多級(jí)TiO2 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011059409.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112345590A | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于靈敏;馬帥;劉楠;李艷尼;李原;李春;曹磊;南寧;范新會(huì) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/00 | 分類號(hào): | G01N27/00;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 61114 | 代理人: | 黃秦芳 |
| 地址: | 710032 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三維 分層 多級(jí) tio base sub | ||
1.一種原位生長(zhǎng)三維分層多級(jí)TiO2納米花NH3敏傳感器的制備方法,其特征在于:
利用水溶液法在銀叉指電極上原位生長(zhǎng)三維分層多級(jí)TiO2納米花薄膜,制備得到一種原位生長(zhǎng)三維分層多級(jí)TiO2納米花NH3敏傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位生長(zhǎng)三維分層多級(jí)TiO2納米花NH3敏傳感器的制備方法,其特征在于:
具體包括以下步驟:
步驟一、在Ag電極表面原位生長(zhǎng)TiO2種子層薄膜:
將1ml的TiCl4溶于0℃ 50ml去離子水中,并在室溫條件下攪拌15min;將清洗好的Ag叉指電極放在水浴鍋中,在70℃下水浴加熱1h,取出電極片用去離子水和乙醇清洗數(shù)次;將基底在400℃下熱處理30min,得到TiO2種子層薄膜;
步驟二、在Ag電極表面原位生長(zhǎng)三維分層多級(jí)TiO2納米花:
將1ml鈦酸四丁酯至于20ml冰乙酸中,攪拌30min,稱取0.1g AgNO3溶于20ml冰乙酸中,磁力攪拌30min充分溶解,將兩種溶液混合后繼續(xù)超聲攪拌15min;然后將覆有TiO2種子層薄膜的Ag叉指電極垂直插入生長(zhǎng)液中,160℃恒溫生長(zhǎng)12h;取出后用去離子水和乙醇沖洗數(shù)次并干燥,將薄膜在450℃下熱處理60min,得到三維分層多級(jí)TiO2納米花NH3敏傳感器。
3.如權(quán)利要求1或2所述制備方法制得的一種三維分層多級(jí)TiO2納米花NH3敏傳感器。
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