[發明專利]帶多層反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模及制造方法、及半導體裝置制造方法

在審

• 申請號: 202011059191.0
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112666788A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 鈴木宏太;尾上貴弘
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/60;H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 楊薇

1.一種帶多層反射膜的基板，其具有：

基板、

設置于該基板上的多層反射膜、以及

設置于該多層反射膜上的保護膜，

其中，所述保護膜含有釕(Ru)，并含有選自鋁(Al)、釔(Y)、鋯(Zr)、銠(Rh)及鉿(Hf)中的至少一種添加材料，所述添加材料的含量為5原子％以上且小于50原子％。

2.根據權利要求1所述的帶多層反射膜的基板，其中，

所述保護膜從所述基板側起包含第1層和第2層，

所述第1層含有釕(Ru)，并含有選自鎂(Mg)、鋁(Al)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、鍺(Ge)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、銠(Rh)、鉿(Hf)及鎢(W)中的至少一種，

所述第2層含有所述釕(Ru)和所述添加材料。

3.根據權利要求1所述的帶多層反射膜的基板，其中，

所述保護膜進一步含有氮(N)。

4.根據權利要求2所述的帶多層反射膜的基板，其中，

所述保護膜、所述第1層或所述第2層進一步含有氮(N)。

5.根據權利要求2所述的帶多層反射膜的基板，其中，

所述第2層的Ru含量比所述第1層的Ru含量少。

6.一種反射型掩模坯料，其在權利要求1～5中任一項所述的帶多層反射膜的基板的保護膜上具有吸收體膜。

7.根據權利要求6所述的反射型掩模坯料，其在所述吸收體膜上包含蝕刻掩模膜，該蝕刻掩模膜含有鉻(Cr)。

8.一種反射型掩模，其包含吸收體圖案，該吸收體圖案是權利要求6或6所述的反射型掩模坯料中的所述吸收體膜經圖案化而得到的。

9.一種反射型掩模的制造方法，該方法包括：

對權利要求7所述的反射型掩模坯料的所述蝕刻掩模膜進行圖案化，形成蝕刻掩模圖案；

將所述蝕刻掩模圖案作為掩模，對所述吸收體膜進行圖案化，形成吸收體圖案；

利用氯系氣體及氧氣的混合氣體將所述蝕刻掩模圖案除去。

10.一種半導體裝置的制造方法，該方法包括下述工序：

將權利要求8所述的反射型掩模設置于具有發出EUV光的曝光光源的曝光裝置，對形成在被轉印基板上的抗蝕膜轉印轉印圖案。