[發明專利]離子植入系統以及去除其的射束線構件上沉積物的方法在審
| 申請號： | 202011058388.2 | 申請日： | 2016-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN112185785A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 凱文·安葛林;威廉·戴維斯·李;彼得·庫魯尼西;里安·道尼;杰·T·舒爾;亞歷山大·利坎斯奇;威廉·M·賀伯 | 申請（專利權）人： | 瓦里安半導體設備公司 |
| 主分類號： | H01J37/317 | 分類號： | H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址： | 美國麻薩諸塞州格洛斯特郡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 植入 系統 以及 去除 射束線 構件 沉積物 方法 | ||
1.一種離子植入系統，包括：
離子源，被配置為形成離子束；
射束線構件；以及
氣體源，被配置為向所述射束線構件供應氣體，
其中所述氣體源被配置成通過沉積物與所述氣體的反應來刻蝕沉積在所述射束線構件的表面上的所述沉積物。
2.根據權利要求1所述的離子植入系統，其中所述氣體源包括蝕刻劑氣體。
3.根據權利要求1所述的離子植入系統，其中所述射束線構件為靜電濾波器。
4.根據權利要求1所述的離子植入系統，其中所述氣體源被配置為向所述射束線構件的腔室部分供應所述氣體。
5.根據權利要求1所述的離子植入系統，其中所述氣體包括含有H、He、N、O、F、Ne、Cl、Ar、Kr和Xe或其組合的原子或分子物質。
6.根據權利要求1所述的離子植入系統，其中所述氣體包括NF3、O2、Ar與F2的混合物或其組合。
7.根據權利要求1所述的離子植入系統，其中所述氣體源被配置為在對所述射束線構件進行離子轟擊期間通過所述離子束向所述射束線構件供應所述氣體，所述離子轟擊引起所述射束線構件的所述表面的加熱，以輔助所述沉積在所述射束線構件的所述表面上的所述沉積物的化學蝕刻速率。
8.根據權利要求1所述的離子植入系統，還包括與所述射束線構件相關聯的腔室，其中所述腔室包圍一或多個電極，且其中所述腔室與所述氣體源聯接并且被配置為向所述一或多個電極供應所述氣體。
9.一種去除離子植入系統的射束線構件上沉積物的方法，所述方法包括：
在對所述射束線構件進行離子轟擊期間通過離子束向與所述射束線構件相關聯的一或多個區域供應氣體，其中所述離子轟擊加熱所述射束線構件的表面，以輔助所述氣體與所述射束線構件的所述表面上的所述沉積物之間的化學反應。
10.根據權利要求9所述的去除離子植入系統的射束線構件上沉積物的方法，其中所述供應所述氣體包括向所述射束線構件的腔室部分供應所述氣體，所述腔室部分包圍所述射束線構件的至少一個電極。
11.根據權利要求9所述的去除離子植入系統的射束線構件上沉積物的方法，其中所述氣體包括含有H、He、N、O、F、Ne、Cl、Ar、Kr和Xe或其組合的原子或分子物質。
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