[發明專利]一種降低太陽能電池光致衰減的處理設備及處理方法在審
| 申請號: | 202011058191.9 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112071960A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 方靈新;余浩;何保楊;楊金芳;單偉;何勝;徐偉智 | 申請(專利權)人: | 海寧正泰新能源科技有限公司;浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 孫曉紅 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 降低 太陽能電池 衰減 處理 設備 方法 | ||
本發明公開了一種降低太陽能電池光致衰減的處理設備及處理方法,處理方法包括:加熱太陽能電池片至預設溫度;對加熱后的所述太陽能電池片進行光照處理;冷卻光照處理后的所述太陽能電池片,并在冷卻過程中維持光照。處理設備包括箱體和沿所述箱體長度方向依次設置的加熱區、光照區和冷卻區,所述冷卻區設有光照設備。本發明所提供的降低太陽能電池光致衰減的處理設備及處理方法能夠將衰減態和退火態的B?O復合體轉為為再生態,提高了硅晶太陽能電池的性能。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,特別涉及一種降低太陽能電池光致衰減的處理設備。本發明還涉及一種降低太陽能電池光致衰減的處理方法。
背景技術
對于摻硼晶體硅太陽能電池,當其暴露在光照下時,電池片的電性能均發生衰減,最終趨于一個較穩定的狀態,此現象被稱為太陽能電池的光致衰減。其主要原因是在單晶硅中亞穩態缺陷(即B-O復合體)在一定的條件下被激活,形成深能級復合中心。以下把因B-O復合體在光照下造成衰減的現象稱之為BO-LID也即光致衰減。
BO-LID是一個比較復雜但可以解決的問題。一般把B-O復合體在摻硼晶體硅太陽能電池中的形態分為三個狀態:退火態、衰減態和再生態。退火態存在游離的B-O復合體,它是復合的誘因;衰減態是B-O復合體被激活,形成缺陷,摻硼晶體硅太陽能電池在長時間曝曬后,會趨于一個較穩定的狀態,此時的B-O復合體大多數處于衰減態;再生態是一種較穩定的狀態,它相對衰減態來說缺陷被鈍化。一般B-O復合體在晶硅太陽能電池中再生態所占比例越大,衰減就越小,B-O復合體的三種狀態在不同的溫度與處理過程中,其相互轉變的速度是不同的。
BO-LID在更高的曝曬溫度下可以逐漸“恢復”,這個過程也被稱作為“光致再生LIR”,溫度繼續升高,這個衰減周期變得特別快,可以達到幾十秒范圍內。因此在工業化生產晶體硅太陽能電池中,可以用爐子做快速“抗BO-LID”處理,而且在做此處理過程后,都力求電池片產生更多的再生態,從而降低摻硼晶體硅太陽能電池光衰。
因此,如何降低晶體硅太陽能電池的衰減成為本領域技術人員需要解決的一個技術問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種降低太陽能電池光致衰減的處理方法,能夠將B-O復合體轉化為再生態,并抑制向退火態和衰減態轉變,提高了太陽能電池的性能。本發明的另一目的是提供一種降低太陽能電池光致衰減的處理設備。
為實現上述目的,本發明提供一種降低太陽能電池光致衰減的處理方法,包括:
加熱太陽能電池片至預設溫度;
對加熱后的所述太陽能電池片進行光照處理;
冷卻光照處理后的所述太陽能電池片,并在冷卻過程中維持光照。
可選地,所述預設溫度為200~300℃。
可選地,所述冷卻光照處理后的所述太陽能電池片的步驟為:向所述太陽能電池片鼓吹冷卻風。
本發明還提供一種降低太陽能電池光致衰減的處理設備,包括箱體和沿所述箱體長度方向依次設置的加熱區、光照區和冷卻區,所述冷卻區設有光照設備。
可選地,所述加熱區和所述光照區設有用以將太陽能電池片自所述加熱區輸送至所述光照區的第一輸送裝置,所述冷卻區設有與所述第一輸送裝置相連、用以將太陽能電池片輸出所述箱體的第二輸送裝置。
可選地,所述第一輸送裝置為陶瓷輥輪,所述第二輸送裝置為一對平行相間設置的輸送帶,一對所述輸送帶之間的正下方設有冷卻風扇。
可選地,所述光照區的所述陶瓷輥輪的上方設有LED燈管,所述光照區的所述陶瓷輥輪的下方設有控溫風扇。
可選地,所述冷卻區的所述箱體上方設有滑軌,所述滑軌與所述輸送帶平行,所述光照設備為設于所述滑軌上、且可沿所述滑軌長度方向滑移的LED燈板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





