[發明專利]一種IV曲線的掃描方法和光儲系統

有效

• 申請號: 202011057486.4
• 申請日: 2020-09-29
• 公開（公告）號: CN112217475B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 楊宗軍;鄒紹琨;張彥虎
• 申請（專利權）人: 陽光新能源開發股份有限公司
• 主分類號: H02J3/38
• 分類號: H02J3/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張柳

1.一種IV曲線的掃描方法，其特征在于，應用于在自身逆變電路的直流母線處耦合有儲能單元的光儲系統，并且，所述逆變電路的前級具有升壓單元；所述IV曲線的掃描方法，包括：

在對所述光儲系統的光伏陣列進行IV掃描時，監測所述升壓單元的特征參數，所述特征參數為以下任意一種：輸入電壓、輸入輸出電壓比值及控制信號占空比；

判斷所述特征參數是否處于所述升壓單元的發熱范圍；

若所述特征參數處于所述發熱范圍，則以將所述直流母線的電壓降低至目標電壓為目標，控制所述儲能單元充電，則所述升壓單元的輸入輸出比值增大、所述升壓單元中開關管的控制信號的占空比減小，得到光伏低壓段的IV曲線，所述目標電壓為：所述升壓單元的輸入電壓與電壓調整量之和。

2.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，若所述特征參數為所述輸入電壓，則判斷所述特征參數是否處于所述升壓單元的發熱范圍，包括：

判斷所述輸入電壓是否小于等于預設電壓；

若所述輸入電壓小于等于所述預設電壓，則判定所述特征參數處于所述發熱范圍。

3.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，若所述特征參數為所述輸入輸出電壓比值，則判斷所述特征參數是否處于所述升壓單元的發熱范圍，包括：

判斷所述輸入輸出電壓比值是否小于等于預設比值；

若所述輸入輸出電壓比值小于等于所述預設比值，則判定所述特征參數處于所述發熱范圍。

4.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，若所述特征參數為所述控制信號占空比時，則判斷所述特征參數是否處于所述升壓單元的發熱范圍，包括：

判斷所述控制信號占空比是否大于等于預設占空比；

若所述控制信號占空比大于等于所述預設占空比，則判定所述特征參數處于所述發熱范圍。

5.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，所述電壓調整量的取值范圍為[0，100]。

6.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，所述目標電壓為離散的多個固定取值。

7.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，所述目標電壓的取值下限為所述儲能單元的最低充電電壓。

8.根據權利要求1所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，以將所述直流母線的電壓降低至目標電壓為目標，控制所述儲能單元充電，包括：

控制所述儲能單元以預設速率增加充電功率，以將所述直流母線的電壓平滑降低至所述目標電壓。

9.根據權利要求1-4任一項所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，在對所述光儲系統的光伏陣列進行IV掃描前，還包括：

判斷所述儲能單元的剩余存儲電量是否滿足對所述光伏陣列進行IV掃描的需求；

若所述儲能單元的剩余存儲電量不滿足對所述光伏陣列進行IV掃描的需求，則控制所述儲能單元放電，直到所述儲能單元的剩余存儲電量滿足對所述光儲系統進行IV掃描的需求后，再對所述光儲系統的光伏陣列進行IV掃描。

10.根據權利要求1-4任一項所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，在控制所述儲能單元充電，使所述直流母線的電壓降低的同時，還包括：

判斷所述直流母線的電壓是否低于并網電壓要求的下限值；

若所述直流母線的電壓低于所述并網電壓要求的下限值，則控制所述光儲系統的逆變電路停止并網和IV掃描，并控制所述儲能單元中的儲能變換器繼續對所述光儲系統的光伏陣列進行IV掃描。

11.根據權利要求1-4任一項所述的IV曲線的掃描方法，其特征在于，在對所述光儲系統的光伏陣列進行IV掃描的過程中，所述光伏陣列的電能負載為：所述光儲系統的逆變電路，和/或，所述儲能單元中的儲能變換器。