[發明專利]用于集成電路的背側集成電壓調節器在審
| 申請號： | 202011056882.5 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112185919A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 金楠勛;權云成;甘后樂;沈柔政;米哈伊爾·波波維奇;特克久·康 | 申請（專利權）人： | 谷歌有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/64 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 周亞榮;鄧聰惠 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 集成電路 集成 電壓 調節器 | ||
1.一種集成電路封裝，包括：
封裝基板；
集成電路裸片，所述集成電路裸片包括金屬層和硅層，所述金屬層被連接到所述封裝基板；和
集成電壓調節器裸片，所述集成電壓調節器裸片鄰近于所述硅層定位、并且經由一個或多個穿模通孔(TMV)或穿電介質通孔(TDV)被連接到所述封裝基板。
2.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述集成電壓調節器裸片通過配電網絡(PDN)連接到所述硅層。
3.根據權利要求2所述的集成電路封裝，其中，所述PDN包括在所述硅層內的一個或多個穿硅通孔(TSV)。
4.根據權利要求3所述的集成電路封裝，其中，所述PDN還包括再分配層，所述再分配層被構造成從所述集成電壓調節器裸片向所述一個或多個TSV提供電力。
5.根據權利要求4所述的集成電路封裝，其中，所述一個或多個TSV和所述再分配層形成電感器。
6.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述一個或多個TMV或TDV中的每一個在第一端上被倒裝芯片凸點連接到所述封裝基板、并且在相對的第二端處連接到所述集成電壓調節器裸片。
7.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述硅層經由一個或多個倒裝芯片凸點連接到所述封裝基板。
8.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中，所述封裝基板被構造成連接到焊盤柵格陣列(LGA)插座或球形柵格陣列(BGA)插座。
9.根據權利要求8所述的集成電路封裝，其中，電力經由所述LGA插座或所述BGA插座被傳輸到所述集成電壓調節器裸片。
10.根據權利要求9所述的集成電路封裝，其中，所述封裝基板包括再分配層，所述再分配層被構造成將電力從所述LGA插座或所述BGA插座路由到所述一個或多個TMV。
11.一種集成電路封裝，包括：
封裝基板；
專用集成電路(ASIC)裸片，所述ASIC裸片包括金屬層和硅層，所述金屬層被連接到所述封裝基板；和
集成電壓調節器裸片，所述集成電壓調節器裸片鄰近于所述硅層定位、并且經由一個或多個穿模通孔(TMV)或穿電介質通孔(TDV)被連接到所述封裝基板，所述集成電壓調節器裸片被構造成向所述ASIC裸片提供電力。
12.根據權利要求11所述的集成電路封裝，其中，所述集成電壓調節器裸片被配電網絡(PDN)連接到所述硅層。
13.根據權利要求12所述的集成電路封裝，其中，所述PDN包括在所述硅層內的一個或多個穿硅通孔(TSV)，并且所述集成電壓調節器裸片被構造成經由所述一個或多個TSV向所述ASIC裸片提供電力。
14.根據權利要求13所述的集成電路封裝，其中，所述PDN還包括再分配層，所述再分配層被構造成從所述集成電壓調節器裸片向所述一個或多個TSV提供電力。
15.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述一個或多個TSV和所述再分配層形成供所述集成電壓調節器裸片使用的電感器。
16.根據權利要求11所述的集成電路封裝，其中，所述一個或多個TMV或TDV中的每一個在第一端上被倒裝芯片凸點連接到所述封裝基板、并且在第二相對端處連接到所述集成電壓調節器裸片。
17.根據權利要求11所述的集成電路封裝，其中，所述硅層經由一個或多個倒裝芯片凸點連接到所述封裝基板。
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