[發明專利]半導體結構及半導體結構的制作方法

在審

• 申請號: 202011056617.7
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN114334968A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 張魁;朱煜寒;劉杰;應戰
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 闞梓瑄;孫寶海

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

半導體基體(10)，所述半導體基體(10)包括襯底(12)和隔離結構(13)，所述隔離結構(13)位于所述襯底(12)的上方，所述隔離結構(13)用于隔離多個有源區(11)，所述有源區(11)的部分由所述襯底(12)形成；

位線(20)，所述位線(20)位于所述襯底(12)內，所述位線(20)與所述有源區(11)相連接；

字線(30)，所述字線(30)與所述有源區(11)相交，且所述字線(30)環繞所述有源區(11)；

其中，所述襯底(12)為SOI襯底。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底(12)包括：

第一半導體層(121)；

氧化絕緣層(122)，所述氧化絕緣層(122)位于所述第一半導體層(121)上，所述位線(20)位于所述氧化絕緣層(122)內；

第二半導體層(123)，所述第二半導體層(123)位于所述氧化絕緣層(122)上，所述隔離結構(13)位于所述氧化絕緣層(122)上，且覆蓋所述第二半導體層(123)；

其中，所述有源區(11)包括所述第二半導體層(123)。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述有源區(11)包括：

漏極區域(111)，所述漏極區域(111)與所述位線(20)相連接，所述漏極區域(111)的至少部分由外延生長工藝形成；

源區通道(112)，所述源區通道(112)位于所述漏極區域(111)的上方；

源極區域(113)，所述源極區域(113)位于所述源區通道(112)的上方；

其中，所述漏極區域(111)包括所述第二半導體層(123)。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述漏極區域(111)包括：

第一段體(1111)，所述第一段體(1111)的部分由所述第二半導體層(123)形成；

第二段體(1112)，所述第二段體(1112)位于所述第一段體(1111)的上方；

其中，所述第一段體(1111)在第一方向上的厚度大于所述第二段體(1112)在所述第一方向上的厚度，所述第一方向平行于所述襯底(12)。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

柵氧化層(132)，所述柵氧化層(132)覆蓋所述第一段體(1111)的頂端、所述第二段體(1112)的側壁和頂端、所述源區通道(112)的側壁以及所述源極區域(113)的底端和側壁；

其中，所述字線(30)與所述源區通道(112)相交，所述字線(30)與所述源區通道(112)之間設置有所述柵氧化層(132)。

6.根據權利要求4或5所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離結構(13)包括：

第一絕緣介質層(131)，所述第一絕緣介質層(131)位于所述襯底(12)上，且覆蓋所述第一段體(1111)的側壁；

第二絕緣介質層(133)，所述第二絕緣介質層(133)位于所述第一絕緣介質層(131)上，所述第二段體(1112)、所述源區通道(112)、所述源極區域(113)以及所述字線(30)均位于所述第二絕緣介質層(133)內。

7.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第一段體(1111)在所述第一方向上的厚度比所述位線(20)在所述第一方向上的厚度大3nm-10nm；和/或，所述第二段體(1112)在所述第一方向上的厚度大于所述源區通道(112)在所述第一方向上的厚度，所述源極區域(113)在第一方向上的厚度大于所述源區通道(112)在所述第一方向上的厚度。