[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202011055081.7 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112435995A | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 黃文宏 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L23/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京植德律師事務所 11780 | 代理人： | 唐華東 |
| 地址： | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝結構，包括：
基板，具有腔體；
堆疊組件，包括至少一個組件，各組件依次堆疊于所述腔體內；
封裝材，填充于所述腔體內，包覆所述堆疊組件；
所述基板設置有焊墊，所述焊墊通過導線電連接所述堆疊組件。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述各組件以交錯堆疊方式依次堆疊于所述腔體內。
3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝結構，其中，所述腔體為階梯狀腔體。
4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其中，所述基板包括核心基板、至少一個介電層和至少一個金屬層，所述至少一個介電層依次堆疊于所述核心基板上，并形成所述階梯狀腔體。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其中，所述至少一個介電層中各介電層與所述堆疊組件中各組件對應設置于同一垂直高度，同一垂直高度的介電層與組件之間的單邊水平距離大于等于35微米。
6.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其中，所述階梯狀腔體中每相鄰兩個臺階的寬度差為2-3微米。
7.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其中，所述階梯狀腔體的每個臺階為斜面圓弧。
8.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其中，所述階梯狀腔體的每個臺階為直角。
9.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其中，所述半導體封裝結構還包括：
重布線層，電連接所述基板，設置于所述基板上。
10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構，其中，所述半導體封裝結構還包括：
導電層，電連接所述重布線層，設置于所述堆疊組件中的最上層組件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日月光半導體制造股份有限公司，未經日月光半導體制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011055081.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種己二腈的精制方法及裝置
- 下一篇：半導體裝置及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
